Продукція > VISHAY > IRFPC50PBF

IRFPC50PBF Vishay


irfpc50.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+301.44 грн
10+221.32 грн
25+219.07 грн
50+209.19 грн
100+166.95 грн
500+158.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFPC50PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFPC50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.6 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 180W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm.

Інші пропозиції IRFPC50PBF за ціною від 159.02 грн до 341.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFPC50PBF IRFPC50PBF Vishay irfpc50.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+302.19 грн
64+221.88 грн
65+209.71 грн
100+167.37 грн
500+159.02 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBF IRFPC50PBF Vishay irfpc50.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+321.71 грн
70+203.52 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBF IRFPC50PBF VISHAY irfpc50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 180W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 180W
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+327.12 грн
10+261.08 грн
25+229.28 грн
50+205.85 грн
100+184.09 грн
250+162.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBF IRFPC50PBF Vishay irfpc50.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+341.13 грн
45+316.11 грн
50+297.67 грн
100+261.64 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBF IRFPC50PBF Vishay Semiconductors irfpc50.pdf MOSFETs TO247 600V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBF IRFPC50PBF VISHAY VISH-S-A0015793012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFPC50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.6 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBF irfpc50.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+302.19 грн
64+221.88 грн
65+209.71 грн
100+167.37 грн
500+159.02 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBF irfpc50.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+321.71 грн
70+203.52 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBF irfpc50.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 180W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 180W
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+327.12 грн
10+261.08 грн
25+229.28 грн
50+205.85 грн
100+184.09 грн
250+162.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBF irfpc50.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+341.13 грн
45+316.11 грн
50+297.67 грн
100+261.64 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBF irfpc50.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBF VISH-S-A0015793012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFPC50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.6 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.