IRFPE50

IRFPE50


datasheetef7b5e8it7etde-irfhuefy43.pdf
Код товару: 4823
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-247
Uds,V: 800 V
Idd,A: 7,8 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3100/200
Монтаж: THT
товару немає в наявності

Кількість Ціна
1+77.00 грн
10+69.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFPE50 за ціною від 149.15 грн до 149.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFPE50 IRFPE50 Виробник : Siliconix info-tirfpe50.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 1,2Ohm; 7,8A; 190W; -55°C ~ 150°C; IRFPE50 TIRFPE50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+149.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50 IRFPE50 Виробник : Vishay Siliconix 91248.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50 IRFPE50 Виробник : Vishay / Siliconix 91248.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.