IRFPS3810 Infineon


IRFPS3810.pdf Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 30V; 9mOhm; 170A; 580W; -55°C ~ 175°C; IRFPS3810 TIRFPS3810
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+246.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFPS3810 Infineon

Description: MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247, Packaging: Bag, Package / Case: TO-274AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 580W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6790 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFPS3810

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFPS3810 IRFPS3810
Код товару: 58957
Виробник : IR datasheet_irfps3810_tra796e3.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: Super-247
Uds,V: 100 V
Idd,A: 170 A
Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6790/260
Монтаж: THT
товар відсутній
IRFPS3810 IRFPS3810 Виробник : Infineon Technologies IRFPS3810.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
Packaging: Bag
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6790 pF @ 25 V
товар відсутній