IRFPW4468PBFXKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 82+ | 172.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFPW4468PBFXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFPW4468PBFXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2600 µohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 517W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFPW4468PBFXKSA1 за ціною від 143.25 грн до 438.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFPW4468PBFXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFPW4468PBFXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 50 V |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFPW4468PBFXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs StrongIRFET Power MOSFET, 100 V |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFPW4468PBFXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFPW4468PBFXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2600 µohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 517W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFPW4468PBFXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |