IRFR1010ZTRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 45.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR1010ZTRLPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR1010ZTRLPBF за ціною від 66.10 грн до 66.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFR1010ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
IRFR1010ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRFR1010ZTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91A; 140W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: 55V Drain current: 91A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
IRFR1010ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
IRFR1010ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRFR1010ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRFR1010ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 55V 91A 7.5mOhm 63nC |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
IRFR1010ZTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91A; 140W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: 55V Drain current: 91A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD |
товару немає в наявності |