Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR1010ZTRPBF
IRFR1010ZTRPBF

IRFR1010ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr1010z-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+60.36 грн
4000+58.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR1010ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm.

Інші пропозиції IRFR1010ZTRPBF за ціною від 51.84 грн до 186.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr1010zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+65.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr1010zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+65.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr1010zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+66.06 грн
4000+65.31 грн
6000+64.66 грн
10000+61.73 грн
14000+56.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr1010zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+66.06 грн
4000+65.31 грн
6000+64.66 грн
10000+61.73 грн
14000+56.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr1010zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+186.07 грн
114+124.65 грн
152+93.31 грн
500+73.00 грн
1000+60.21 грн
2000+55.79 грн
4000+51.84 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR1010Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF INFINEON Description: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF INFINEON IRSDS11230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBF infineonirfr1010zdatasheeten.pdf
IRFR1010ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+65.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBF infineonirfr1010zdatasheeten.pdf
IRFR1010ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+65.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBF infineonirfr1010zdatasheeten.pdf
IRFR1010ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+66.06 грн
4000+65.31 грн
6000+64.66 грн
10000+61.73 грн
14000+56.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBF infineonirfr1010zdatasheeten.pdf
IRFR1010ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+66.06 грн
4000+65.31 грн
6000+64.66 грн
10000+61.73 грн
14000+56.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBF infineonirfr1010zdatasheeten.pdf
IRFR1010ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+186.07 грн
114+124.65 грн
152+93.31 грн
500+73.00 грн
1000+60.21 грн
2000+55.79 грн
4000+51.84 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBF Infineon-IRFR1010Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR1010ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBF
IRFR1010ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1010ZTRPBF IRSDS11230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR1010ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.