IRFR1010ZTRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 43.53 грн |
| 6000+ | 37.54 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR1010ZTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm.
Інші пропозиції IRFR1010ZTRPBF за ціною від 39.79 грн до 191.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK |
на замовлення 6468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC |
на замовлення 4392 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR1010ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm |
на замовлення 6410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IRFR1010ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm |
на замовлення 6410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFR1010ZTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 59.81 грн |
| IRFR1010ZTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 59.81 грн |
| IRFR1010ZTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 62.23 грн |
| 4000+ | 59.96 грн |
| IRFR1010ZTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 67.82 грн |
| IRFR1010ZTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 68.12 грн |
| 4000+ | 67.34 грн |
| 6000+ | 66.67 грн |
| 10000+ | 63.65 грн |
| 14000+ | 58.33 грн |
| IRFR1010ZTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 73.15 грн |
| IRFR1010ZTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
на замовлення 6468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 149.55 грн |
| 10+ | 92.06 грн |
| 50+ | 69.53 грн |
| 100+ | 58.43 грн |
| 500+ | 46.44 грн |
| IRFR1010ZTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 161.97 грн |
| 10+ | 77.86 грн |
| 100+ | 60.06 грн |
| 500+ | 47.74 грн |
| 1000+ | 45.66 грн |
| 2000+ | 40.39 грн |
| 4000+ | 39.79 грн |
| IRFR1010ZTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 179.96 грн |
| IRFR1010ZTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 82+ | 179.96 грн |
| IRFR1010ZTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 77+ | 191.86 грн |
| 114+ | 128.53 грн |
| 152+ | 96.21 грн |
| 500+ | 75.27 грн |
| 1000+ | 62.08 грн |
| 2000+ | 57.53 грн |
| 4000+ | 53.45 грн |
| IRFR1010ZTRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
Description: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 6410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR1010ZTRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
Description: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 6410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)