IRFR1018ETRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 38.70 грн |
| 6000+ | 33.30 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR1018ETRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFR1018ETRPBF за ціною від 38.73 грн до 135.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 17976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V |
на замовлення 17871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 17494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 17494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg |
на замовлення 13114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
IRFR1018ETRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFR1018ETRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 44.28 грн |
| IRFR1018ETRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 44.44 грн |
| IRFR1018ETRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 44.58 грн |
| IRFR1018ETRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 44.75 грн |
| IRFR1018ETRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 47.17 грн |
| IRFR1018ETRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 47.17 грн |
| IRFR1018ETRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 55.03 грн |
| IRFR1018ETRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 62.95 грн |
| 1000+ | 58.92 грн |
| IRFR1018ETRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 65.39 грн |
| IRFR1018ETRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 209+ | 68.35 грн |
| 211+ | 67.61 грн |
| 247+ | 57.67 грн |
| 250+ | 55.06 грн |
| 500+ | 50.53 грн |
| 1000+ | 48.07 грн |
| 3000+ | 47.64 грн |
| IRFR1018ETRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 69.37 грн |
| IRFR1018ETRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 77.67 грн |
| 12+ | 68.35 грн |
| 25+ | 67.61 грн |
| 100+ | 55.61 грн |
| 250+ | 50.99 грн |
| 500+ | 48.51 грн |
| 1000+ | 48.07 грн |
| 3000+ | 47.64 грн |
| IRFR1018ETRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 450+ | 79.12 грн |
| 500+ | 71.20 грн |
| 1000+ | 65.67 грн |
| IRFR1018ETRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 149+ | 95.87 грн |
| 195+ | 73.09 грн |
| 208+ | 68.53 грн |
| 500+ | 57.39 грн |
| 1000+ | 48.14 грн |
| 5000+ | 39.62 грн |
| 12000+ | 38.73 грн |
| IRFR1018ETRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 128+ | 111.64 грн |
| 134+ | 106.64 грн |
| 250+ | 102.36 грн |
| 500+ | 95.15 грн |
| 1000+ | 85.22 грн |
| 2500+ | 79.39 грн |
| 5000+ | 77.26 грн |
| IRFR1018ETRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 17871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 134.98 грн |
| 10+ | 82.59 грн |
| 50+ | 62.24 грн |
| 100+ | 52.23 грн |
| 500+ | 41.39 грн |
| IRFR1018ETRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 135.64 грн |
| IRFR1018ETRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 105+ | 135.64 грн |
| IRFR1018ETRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 13114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFR1018ETRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR1018ETRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)