Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR1018ETRPBF
IRFR1018ETRPBF

IRFR1018ETRPBF Infineon Technologies

irfr1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d092f2042
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+36.80 грн
4000+32.81 грн
6000+31.47 грн
10000+28.13 грн
14000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR1018ETRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFR1018ETRPBF за ціною від 28.06 грн до 143.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF INFINEON INFN-S-A0012838608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.99 грн
250+62.68 грн
1000+42.74 грн
3000+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR1018E-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 18455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.89 грн
10+77.88 грн
100+45.29 грн
500+35.87 грн
1000+32.77 грн
2000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Infineon Technologies irfr1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d092f2042 Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 20094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.92 грн
10+80.76 грн
100+53.82 грн
500+39.68 грн
1000+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF INFINEON INFN-S-A0012838608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.58 грн
50+95.99 грн
250+62.68 грн
1000+42.74 грн
3000+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF INFN-S-A0012838608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR1018ETRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+95.99 грн
250+62.68 грн
1000+42.74 грн
3000+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF Infineon-IRFR1018E-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR1018ETRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 18455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+123.89 грн
10+77.88 грн
100+45.29 грн
500+35.87 грн
1000+32.77 грн
2000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF irfr1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d092f2042
IRFR1018ETRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 20094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+132.92 грн
10+80.76 грн
100+53.82 грн
500+39.68 грн
1000+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF INFN-S-A0012838608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR1018ETRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+143.58 грн
50+95.99 грн
250+62.68 грн
1000+42.74 грн
3000+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.