Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR1018ETRPBF
IRFR1018ETRPBF

IRFR1018ETRPBF Infineon Technologies

irfr1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d092f2042
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+30.76 грн
4000+27.43 грн
6000+26.31 грн
10000+23.51 грн
14000+22.81 грн
20000+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR1018ETRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFR1018ETRPBF за ціною від 27.62 грн до 141.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+50.84 грн
4000+41.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+53.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+53.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+61.42 грн
1000+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+63.64 грн
1000+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+63.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
209+66.69 грн
211+65.97 грн
247+56.27 грн
250+53.72 грн
500+49.30 грн
1000+46.90 грн
3000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 209
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+67.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+75.78 грн
12+66.69 грн
25+65.97 грн
100+54.26 грн
250+49.74 грн
500+47.33 грн
1000+46.90 грн
3000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
149+93.54 грн
195+71.31 грн
208+66.86 грн
500+55.99 грн
1000+46.97 грн
5000+38.66 грн
12000+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.49 грн
250+61.70 грн
1000+42.07 грн
3000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+109.71 грн
133+104.80 грн
250+100.60 грн
500+93.50 грн
1000+83.75 грн
2500+78.02 грн
5000+75.93 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d092f2042 Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 21690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.59 грн
10+67.50 грн
100+44.99 грн
500+33.17 грн
1000+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFR1018E-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 18455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.95 грн
10+76.67 грн
100+44.58 грн
500+35.31 грн
1000+32.26 грн
2000+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+141.34 грн
50+94.49 грн
250+61.70 грн
1000+42.07 грн
3000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF Виробник : International Rectifier irfr1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d092f2042 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.