Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR1018ETRPBF
IRFR1018ETRPBF

IRFR1018ETRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR1018ETRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFR1018ETRPBF за ціною від 33.11 грн до 137.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d092f2042 Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+40.38 грн
4000+37.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+41.37 грн
4000+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+51.78 грн
1000+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+53.81 грн
1000+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+55.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
209+58.43 грн
211+57.80 грн
247+49.30 грн
250+47.07 грн
500+43.19 грн
1000+41.09 грн
3000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 209
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+59.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+61.66 грн
12+54.26 грн
25+53.67 грн
100+44.15 грн
250+40.47 грн
500+38.50 грн
1000+38.16 грн
3000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.50 грн
500+59.56 грн
1000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
149+81.96 грн
195+62.48 грн
208+58.59 грн
500+49.06 грн
1000+41.15 грн
5000+33.87 грн
12000+33.11 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+96.12 грн
133+91.82 грн
250+88.15 грн
500+81.92 грн
1000+73.38 грн
2500+68.36 грн
5000+66.53 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d092f2042 Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 16898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.54 грн
10+75.51 грн
100+52.89 грн
500+41.00 грн
1000+38.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.81 грн
50+87.10 грн
250+66.26 грн
1000+46.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR1018E_DataSheet_v01_01_EN-3363298.pdf MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 14374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.15 грн
10+91.80 грн
100+60.81 грн
500+48.47 грн
1000+44.48 грн
2000+41.07 грн
4000+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr1018epbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr1018epbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.