IRFR120NPBF (IR) - Транзистори - Польові N-канальні

IRFR120NPBF
Код товару: 73992
Виробник: IRКорпус: TO-252/D-Pak
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9.4 A
Rds(on), Ohm: 0,21 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
Монтаж: SMD

В наявності/на замовлення
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
200 шт - очікується
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
200 шт - очікується
Технічний опис IRFR120NPBF
- MOSFET, N, 100V, 9.1A, D-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:100V
- Cont Current Id:9.1A
- On State Resistance:0.21ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:DPAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:D-PAK
- Current Temperature:25`C
- External Depth:10.5mm
- External Length / Height:2.55mm
- External Width:6.8mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:3.2`C/W
- Max Voltage Vds:100V
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:39W
- Power Dissipation Pd:39W
- Pulse Current Idm:38A
- SMD Marking:IRFR120N
- Transistor Case Style:D-PAK
Ціна IRFR120NPBF від 11.55 грн до 22 грн
IRFR120NPBF Виробник: International Rectifier/Infineon N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 9,4 А; Ptot, Вт = 48; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 210 мОм @ 5,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK ![]() ![]() |
на замовлення 74 шт ![]() термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|
||||||
IRFR120NPBF Виробник: IRFR120N MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK ![]() ![]() |
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|||||||
IRFR120NPBF Виробник: IRFR120N MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK ![]() ![]() |
на замовлення 456 шт ![]() термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
|
||||||
IRFR120NPBF Виробник: International Rectifier HiRel Products Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube ![]() |
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|||||||
IRFR120NPBF Виробник: International Rectifier Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V ![]() |
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|||||||
IRFR120NPBF Виробник: Infineon Technologies Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube ![]() |
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|||||||
IRFR120NPBF Виробник: Infineon / IR MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 210mOhms ![]() |
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|||||||
IRFR120NPBF Виробник: Infineon Technologies MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 210mOhms ![]() |
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|||||||
IRFR120NPBF Виробник: Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V ![]() |
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|||||||
IRFR120NPBF Виробник: Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V ![]() |
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|||||||
IRFR120NPBF Виробник: Infineon Technologies Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube ![]() ![]() |
на замовлення 2 шт ![]() термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
|
З цим товаром купують
1N4007 Код товару: 1574 |
![]() |

Виробник: YJ/Microsemi
Діоди, діодні мости, стабілітрони - Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Може замінити: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
10885 шт - склад КиївДіоди, діодні мости, стабілітрони - Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Може замінити: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
1241 шт - РАДІОМАГ-Київ
49 шт - РАДІОМАГ-Львів
57 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2876 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення 4583310 шт - ціна та термін постачання
|
Можливі заміни |
1N4007-DC Код товару: 127801 |
Можливі заміни |
1N4007 Код товару: 176822 |
1N4148 Код товару: 7711 |
![]() |

Виробник: YJ/Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони - Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: Швидкий
Примітка: 1N4448
Може замінити:: THT
4281 шт - склад КиївДіоди, діодні мости, стабілітрони - Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: Швидкий
Примітка: 1N4448
Може замінити:: THT
37 шт - РАДІОМАГ-Київ
316 шт - РАДІОМАГ-Львів
166 шт - РАДІОМАГ-Харків
47 шт - РАДІОМАГ-Одеса
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення 4055876 шт - ціна та термін постачання
|
Можливі заміни |
1N4448 Код товару: 20338 |
Можливі заміни |
1N4148 Код товару: 176824 |
IRFR9120N Код товару: 57603 |
![]() |
![]() |

Виробник: IR
Транзистори - Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 6,6 A
Rds(on),Om: 480 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/27
Монтаж: SMD
4 шт - РАДІОМАГ-ХарківТранзистори - Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 6,6 A
Rds(on),Om: 480 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/27
Монтаж: SMD
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення 18130 шт - ціна та термін постачання
|
47uF 63V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR470M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 1443 |
![]() |

Виробник: Hitano
Конденсатори - Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EXR
Опис: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 3000 годин
7485 шт - склад КиївКонденсатори - Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EXR
Опис: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 3000 годин
48 шт - РАДІОМАГ-Київ
106 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
73 шт - РАДІОМАГ-Одеса
224 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
|