IRFR120NPBF (IR) - Транзистори - Польові N-канальні

IRFR120NPBF

IRFR120NPBF

Код товару: 73992
Виробник: IR
Корпус: TO-252/D-Pak
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9.4 A
Rds(on), Ohm: 0,21 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
Монтаж: SMD
irfr120npbf-936355.pdf
В наявності/на замовлення
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
200 шт - очікується

1+ 22 грн
10+ 19.8 грн
100+ 17.9 грн

Технічний опис IRFR120NPBF

  • MOSFET, N, 100V, 9.1A, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Cont Current Id:9.1A
  • On State Resistance:0.21ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:10.5mm
  • External Length / Height:2.55mm
  • External Width:6.8mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:3.2`C/W
  • Max Voltage Vds:100V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:39W
  • Power Dissipation Pd:39W
  • Pulse Current Idm:38A
  • SMD Marking:IRFR120N
  • Transistor Case Style:D-PAK

Ціна IRFR120NPBF від 11.55 грн до 22 грн

IRFR120NPBF
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 9,4 А; Ptot, Вт = 48; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 210 мОм @ 5,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK
irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d IRSDS09856-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 		на замовлення 74 шт
термін постачання 2-3 дні (днів)
44+ 13.33 грн
47+ 12.44 грн
50+ 11.55 грн
IRFR120NPBF
Виробник:
IRFR120N MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d IRSDS09856-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 		товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRFR120NPBF
Виробник:
IRFR120N MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d IRSDS09856-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 		на замовлення 456 шт
термін постачання 4-5 дні (днів)
IRFR120NPBF
IRFR120NPBF
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf 		товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRFR120NPBF
IRFR120NPBF
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
IRSDS09856-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 		товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRFR120NPBF
IRFR120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf 		товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRFR120NPBF
IRFR120NPBF
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 210mOhms
Infineon_IRFR120N_DataSheet_v01_01_EN-1228286.pdf 		товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRFR120NPBF
IRFR120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 210mOhms
Infineon_IRFR120N_DataSheet_v01_01_EN-1228286.pdf 		товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRFR120NPBF
IRFR120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d 		товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRFR120NPBF
IRFR120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d 		товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRFR120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d IRSDS09856-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 		на замовлення 2 шт
термін постачання 14-28 дні (днів)

З цим товаром купують

1N4007
Код товару: 1574		 1N4001-1N4007.pdf
1N4007
Виробник: YJ/Microsemi
Діоди, діодні мости, стабілітрони - Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Може замінити: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
10885 шт - склад Київ
1241 шт - РАДІОМАГ-Київ
49 шт - РАДІОМАГ-Львів
57 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2876 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення 4583310 шт - ціна та термін постачання
8+ 0.7 грн
10+ 0.6 грн
100+ 0.52 грн
1000+ 0.45 грн
Можливі заміни
1N4007-DC
Код товару: 127801
Можливі заміни
1N4007
Код товару: 176822
1N4148
Код товару: 7711		 1n4148-datasheet.pdf
1N4148
Виробник: YJ/Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони - Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: Швидкий
Примітка: 1N4448
Може замінити:: THT
4281 шт - склад Київ
37 шт - РАДІОМАГ-Київ
316 шт - РАДІОМАГ-Львів
166 шт - РАДІОМАГ-Харків
47 шт - РАДІОМАГ-Одеса
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення 4055876 шт - ціна та термін постачання
5+ 1 грн
10+ 0.5 грн
100+ 0.33 грн
1000+ 0.22 грн
Можливі заміни
1N4448
Код товару: 20338
Можливі заміни
1N4148
Код товару: 176824
IRFR9120N
Код товару: 57603		 техническая информация irfr9120n-datasheet.pdf
IRFR9120N
Виробник: IR
Транзистори - Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 6,6 A
Rds(on),Om: 480 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/27
Монтаж: SMD
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення 18130 шт - ціна та термін постачання
1+ 18 грн
10+ 16.2 грн
47uF 63V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR470M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 1443		 EXR_080421.pdf
47uF 63V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR470M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори - Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EXR
Опис: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 3000 годин
7485 шт - склад Київ
48 шт - РАДІОМАГ-Київ
106 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
73 шт - РАДІОМАГ-Одеса
224 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3+ 2 грн
10+ 1.7 грн
100+ 1.4 грн
1000+ 1.2 грн