IRFR120NPBF
Код товару: 73992
Виробник: IRUds,V: 100 V
Idd,A: 9.4 A
Rds(on), Ohm: 0,21 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
Монтаж: SMD
у наявності 57 шт:
37 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 100 шт:
100 шт - очікується
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 24.5 грн |
10+ | 21.8 грн |
100+ | 19.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR120NPBF IR
- MOSFET, N, 100V, 9.1A, D-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:100V
- Cont Current Id:9.1A
- On State Resistance:0.21ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:DPAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:D-PAK
- Current Temperature:25`C
- External Depth:10.5mm
- External Length / Height:2.55mm
- External Width:6.8mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:3.2`C/W
- Max Voltage Vds:100V
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:39W
- Power Dissipation Pd:39W
- Pulse Current Idm:38A
- SMD Marking:IRFR120N
- Transistor Case Style:D-PAK
Інші пропозиції IRFR120NPBF за ціною від 15.29 грн до 89.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR120NPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 9,4 А; Ptot, Вт = 48; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 210 мОм @ 5,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK |
на замовлення 7 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
IRFR120NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||
IRFR120NPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||
IRFR120NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||
IRFR120NPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 210mOhms |
товар відсутній |
||||||||||
IRFR120NPBF | Виробник : Infineon (IRF) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.1A Power dissipation: 39W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
З цим товаром купують
TL431ACDBZR (NXP, SOT23-3) Shunt Код товару: 152352 |
Виробник: NXP
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
Корпус: SOT-23-3
Короткий опис: Shunt Adjustable Precision References
Напруга: 36 V
Темп.діапазон: 0…+70°C
Монтаж: SMD
Тип пристрою: Шунт
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
Корпус: SOT-23-3
Короткий опис: Shunt Adjustable Precision References
Напруга: 36 V
Темп.діапазон: 0…+70°C
Монтаж: SMD
Тип пристрою: Шунт
у наявності: 1303 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 8 грн |
10+ | 7 грн |
100+ | 6.1 грн |
PMBT5551 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 20409 |
Виробник: NXP/Philips
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,3 A
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,3 A
Монтаж: SMD
у наявності: 2184 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3 грн |
10+ | 2.1 грн |
100+ | 1.4 грн |
FOD817D3SD Код товару: 129818 |
Виробник: ON
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 70 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -55…+110°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 70 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -55…+110°C
у наявності: 257 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 16 грн |
10+ | 14.4 грн |
100+ | 12.9 грн |
BZV55-C12 Код товару: 1357 |
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
у наявності: 817 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.1 грн |
100+ | 0.8 грн |
100pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N101J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 1741 |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
у наявності: 4837 шт
очікується:
16000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 1 грн |
100+ | 0.9 грн |
1000+ | 0.7 грн |