Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR120NTRPBF
IRFR120NTRPBF

IRFR120NTRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR120NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR120NTRPBF за ціною від 11.81 грн до 111.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+25.46 грн
4000+24.03 грн
6000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+29.03 грн
4000+26.56 грн
6000+22.81 грн
10000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+30.81 грн
4000+28.20 грн
6000+24.22 грн
10000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.13 грн
500+36.55 грн
1000+30.90 грн
5000+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
233+52.11 грн
235+51.59 грн
286+42.36 грн
289+40.44 грн
500+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 233
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C03E7E09C8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr120npbf.pdf?ci_sign=7f63985421ca573e2961fdac6eac7824a6b1dc3f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.83 грн
13+32.37 грн
50+26.46 грн
74+12.52 грн
204+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
184+65.89 грн
240+50.55 грн
500+41.51 грн
1000+39.87 грн
4000+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 184
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C03E7E09C8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr120npbf.pdf?ci_sign=7f63985421ca573e2961fdac6eac7824a6b1dc3f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.20 грн
10+40.34 грн
50+31.76 грн
74+15.03 грн
204+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+72.07 грн
13+55.83 грн
25+55.28 грн
100+43.77 грн
250+40.12 грн
500+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 9660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.97 грн
10+48.99 грн
100+38.00 грн
500+30.11 грн
1000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFR120N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 210mOhms 16.7nC
на замовлення 27480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.86 грн
10+53.57 грн
100+36.07 грн
500+30.93 грн
1000+28.36 грн
2000+23.29 грн
4000+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.12 грн
15+56.83 грн
100+45.13 грн
500+36.55 грн
1000+30.90 грн
5000+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 9,4 А; Ptot, Вт = 48; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 210 мОм @ 5,6 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @; D-PAK
на замовлення 19 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.