Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR120NTRPBF

IRFR120NTRPBF Infineon Technologies

Name: IRFR120NTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 812638-3
Price: 51440.00 UAH
Availability: InStock

irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	25.72 грн
4000+	22.90 грн
6000+	21.95 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFR120NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFR120NTRPBF за ціною від 21.72 грн до 127.25 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRFR120NTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	29.94 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRFR120NTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 142000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	30.05 грн
4000+	27.78 грн
24000+	27.51 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRFR120NTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	32.07 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRFR120NTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 142000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	32.29 грн
4000+	29.85 грн
24000+	29.57 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

IRFR120NTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 386 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
312+	41.25 грн

Мінімальне замовлення: 312

В кошику од. на суму грн.

IRFR120NTRPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	52.26 грн
500+	39.91 грн
1000+	33.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRFR120NTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
210+	61.39 грн
212+	60.77 грн
276+	46.68 грн
279+	44.56 грн
500+	27.00 грн

Мінімальне замовлення: 210

В кошику од. на суму грн.

IRFR120NTRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

на замовлення 3684 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	78.25 грн
11+	38.48 грн
100+	30.63 грн
250+	27.83 грн
500+	25.76 грн
1000+	23.78 грн
2000+	21.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IRFR120NTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 6714 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
139+	92.50 грн

Мінімальне замовлення: 139

В кошику од. на суму грн.

IRFR120NTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	100.17 грн
12+	65.77 грн
25+	65.11 грн
100+	48.23 грн
250+	44.21 грн
500+	27.77 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IRFR120NTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 210mOhms 16.7nC

на замовлення 34888 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	104.04 грн
10+	62.32 грн
100+	37.11 грн
500+	28.88 грн
1000+	26.55 грн
2000+	22.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRFR120NTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

на замовлення 8180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	106.50 грн
10+	64.58 грн
100+	42.92 грн
500+	31.54 грн
1000+	28.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRFR120NTRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	127.25 грн
12+	71.31 грн
100+	52.26 грн
500+	39.91 грн
1000+	33.75 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IRFR120NTRPBF

Виробник : International Rectifier/Infineon

N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 9,4 А; Ptot, Вт = 48; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 210 мОм @ 5,6 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @; D-PAK

на замовлення 19 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.