Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR120NTRPBF
IRFR120NTRPBF

IRFR120NTRPBF Infineon Technologies

irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+20.81 грн
6000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR120NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 48W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm.

Інші пропозиції IRFR120NTRPBF за ціною від 22.74 грн до 135.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 498000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 498000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d description Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 21265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.22 грн
10+47.79 грн
50+35.33 грн
100+29.38 грн
500+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.61 грн
218+65.20 грн
267+53.24 грн
500+41.43 грн
1000+34.08 грн
2000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+135.99 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR120N-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 210mOhms 16.7nC
на замовлення 29008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF description infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF description infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF description infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 498000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF description infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 498000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF description infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf
IRFR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF description infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf
IRFR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF description irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d
IRFR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 21265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.22 грн
10+47.79 грн
50+35.33 грн
100+29.38 грн
500+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF description infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf
IRFR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+104.61 грн
218+65.20 грн
267+53.24 грн
500+41.43 грн
1000+34.08 грн
2000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF description infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+135.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF description infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
105+135.99 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF description Infineon-IRFR120N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR120NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 210mOhms 16.7nC
на замовлення 29008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF description INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR120NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF description INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR120NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.