Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR120NTRPBF
IRFR120NTRPBF

IRFR120NTRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR120NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFR120NTRPBF за ціною від 23.11 грн до 120.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+29.69 грн
4000+27.53 грн
6000+24.21 грн
10000+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+31.80 грн
4000+29.48 грн
6000+25.93 грн
10000+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.30 грн
500+38.49 грн
1000+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
229+55.66 грн
231+55.10 грн
286+44.42 грн
289+42.41 грн
500+26.66 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+62.40 грн
12000+34.28 грн
18000+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr120npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.27 грн
11+38.49 грн
100+30.64 грн
250+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
143+88.91 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr120npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 432 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.92 грн
10+47.96 грн
100+36.77 грн
250+33.40 грн
500+30.92 грн
1000+28.54 грн
2000+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+96.19 грн
13+59.64 грн
25+59.04 грн
100+45.89 грн
250+42.07 грн
500+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.49 грн
10+64.09 грн
100+42.55 грн
500+31.27 грн
1000+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFR120N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 210mOhms 16.7nC
на замовлення 42414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.92 грн
10+61.91 грн
100+39.40 грн
500+32.43 грн
1000+29.73 грн
2000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+120.96 грн
15+62.35 грн
100+48.30 грн
500+38.49 грн
1000+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 9,4 А; Ptot, Вт = 48; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 210 мОм @ 5,6 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @; D-PAK
на замовлення 19 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr120ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.