Інші пропозиції IRFR120ZPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR120ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
|
 |
IRFR120ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IRFR120ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 70nC |
товар відсутній |
|
 |
IRFR120ZPBF | Виробник : Infineon (IRF) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.7A Power dissipation: 35W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.9nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |