Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR120ZTRPBF
IRFR120ZTRPBF

IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies

irfr120zpbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR120ZTRPBF за ціною від 10.80 грн до 60.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2f422050 Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+15.35 грн
4000+13.53 грн
6000+12.89 грн
10000+11.43 грн
14000+11.03 грн
20000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+23.59 грн
33+21.19 грн
100+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837609-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.36 грн
250+23.90 грн
1000+17.57 грн
3000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFR120Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 70nC
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.54 грн
12+29.61 грн
100+18.44 грн
500+17.99 грн
1000+16.26 грн
2000+12.12 грн
4000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837609-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.69 грн
50+33.36 грн
250+23.90 грн
1000+17.57 грн
3000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
251+48.75 грн
261+46.79 грн
500+45.10 грн
1000+42.07 грн
2500+37.80 грн
5000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 251
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2f422050 Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 30512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.26 грн
10+36.15 грн
100+23.49 грн
500+16.92 грн
1000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irfr120zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2f422050 MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
на замовлення 296 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C05ABFC02CF1A303005056AB0C4F&compId=irfr120zpbf.pdf?ci_sign=6db91d95a0791cfe8a3ae22805dafb5a07efec97 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 8.7A
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C05ABFC02CF1A303005056AB0C4F&compId=irfr120zpbf.pdf?ci_sign=6db91d95a0791cfe8a3ae22805dafb5a07efec97 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 8.7A
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.