Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR120ZTRPBF
IRFR120ZTRPBF

IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies

irfr120zpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
52+14.59 грн
53+14.35 грн
54+14.12 грн
100+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR120ZTRPBF за ціною від 10.92 грн до 64.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies irfr120zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies irfr120zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies irfr120zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+34.18 грн
432+32.81 грн
500+31.62 грн
1000+29.50 грн
2500+26.51 грн
5000+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR120Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 70nC
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.89 грн
12+27.72 грн
100+17.27 грн
500+16.85 грн
1000+15.22 грн
2000+11.35 грн
4000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies irfr120zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+64.05 грн
250+61.49 грн
500+59.26 грн
1000+55.28 грн
2500+49.67 грн
5000+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837609-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837609-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies irfr120zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies irfr120zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF irfr120zpbf.pdf
IRFR120ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF irfr120zpbf.pdf
IRFR120ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF irfr120zpbf.pdf
IRFR120ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
414+34.18 грн
432+32.81 грн
500+31.62 грн
1000+29.50 грн
2500+26.51 грн
5000+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF Infineon-IRFR120Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR120ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 70nC
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+38.89 грн
12+27.72 грн
100+17.27 грн
500+16.85 грн
1000+15.22 грн
2000+11.35 грн
4000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF irfr120zpbf.pdf
IRFR120ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
221+64.05 грн
250+61.49 грн
500+59.26 грн
1000+55.28 грн
2500+49.67 грн
5000+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF INFN-S-A0012837609-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR120ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF INFN-S-A0012837609-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR120ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF irfr120zpbf.pdf
IRFR120ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF irfr120zpbf.pdf
IRFR120ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.