Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR120ZTRPBF
IRFR120ZTRPBF

IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr120z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.15 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR120ZTRPBF за ціною від 10.50 грн до 49.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2f422050 Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+13.51 грн
4000+12.77 грн
6000+12.33 грн
10000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+13.71 грн
4000+11.57 грн
6000+11.30 грн
10000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+14.85 грн
4000+12.52 грн
6000+12.24 грн
10000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+21.29 грн
32+19.04 грн
100+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
391+31.36 грн
408+30.11 грн
500+29.02 грн
1000+27.07 грн
2500+24.32 грн
5000+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 391
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837609-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.15 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.92 грн
250+23.35 грн
1000+17.14 грн
3000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr120zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2f422050 Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 51302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.70 грн
10+32.21 грн
100+20.87 грн
500+17.05 грн
1000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR120Z_DataSheet_v01_01_EN-3363217.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 70nC
на замовлення 6628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.80 грн
11+32.92 грн
100+20.51 грн
500+17.91 грн
1000+16.22 грн
2000+12.78 грн
4000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
251+48.98 грн
261+47.02 грн
500+45.32 грн
1000+42.28 грн
2500+37.98 грн
5000+35.49 грн
Мінімальне замовлення: 251
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837609-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.15 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+49.97 грн
50+36.92 грн
250+23.35 грн
1000+17.14 грн
3000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr120z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irfr120zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2f422050 MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
на замовлення 331 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C05ABFC02CF1A303005056AB0C4F&compId=irfr120zpbf.pdf?ci_sign=6db91d95a0791cfe8a3ae22805dafb5a07efec97 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.7A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C05ABFC02CF1A303005056AB0C4F&compId=irfr120zpbf.pdf?ci_sign=6db91d95a0791cfe8a3ae22805dafb5a07efec97 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.