Технічний опис IRFR13N15DPBF International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: D-Pak, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR13N15DPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFR13N15DPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
 N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 14 А, Ptot, Вт = 86, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 180 мОм @ 8,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вимкількість в упаковці: 75 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
IRFR13N15DPBF | Виробник : International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFR13N15DPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 180mOhms 19nC |
товару немає в наявності |