Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > IRFR13N15DPBF

IRFR13N15DPBF International Rectifier

irfr13n15dpbf.pdf
Виробник: International Rectifier
DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR13N15DPBF International Rectifier

Description: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D-Pak, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Bulk, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ).

Інші пропозиції IRFR13N15DPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR13N15DPBF International Rectifier/Infineon irfr13n15dpbf_IR.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 14 А, Ptot, Вт = 86, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 180 мОм @ 8,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N15DPBF IRFR13N15DPBF International Rectifier irfr13n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d4bbc205a description Description: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N15DPBF IRFR13N15DPBF Infineon / IR Infineon_IRFR13N15D_DataSheet_v01_01_EN-1228327.pdf description MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 180mOhms 19nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N15DPBF description irfr13n15dpbf_IR.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 14 А, Ptot, Вт = 86, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 180 мОм @ 8,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N15DPBF description irfr13n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d4bbc205a
IRFR13N15DPBF
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N15DPBF description Infineon_IRFR13N15D_DataSheet_v01_01_EN-1228327.pdf
IRFR13N15DPBF
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 180mOhms 19nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.