Технічний опис IRFR13N15DTRPBF Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 86W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HEXFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 150V, Drain current: 14A, Power dissipation: 86W, Case: DPAK, Mounting: SMD, Kind of package: reel, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції IRFR13N15DTRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR13N15DTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 86W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 14A Power dissipation: 86W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFR13N15DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK |
товару немає в наявності |
|
|
|
IRFR13N15DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFR13N15DTRPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET MOSFT 150V 14A 180mOhm 19nC |
товару немає в наявності |
|
|
|
IRFR13N15DTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 86W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 14A Power dissipation: 86W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |