Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR13N20DTRPBF
IRFR13N20DTRPBF

IRFR13N20DTRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr13n20d-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+81.60 грн
4000+73.77 грн
6000+69.07 грн
10000+64.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR13N20DTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR13N20DTRPBF за ціною від 73.02 грн до 92.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr13n20d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+92.46 грн
4000+83.59 грн
6000+78.26 грн
10000+73.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr13n20d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr13n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d59d9205f Description: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr13n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d59d9205f Description: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DTRPBF Виробник : Infineon / IR Infineon_IRFR13N20D_DataSheet_v01_01_EN-1732905.pdf MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.