Продукція > INFINEON / IR > IRFR15N20DPBF

IRFR15N20DPBF Infineon / IR

Виробник: Infineon / IR
MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 165mOhms

на замовлення 1615 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFR15N20DPBF Infineon / IR

Description: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR15N20DPBF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IRFR15N20DPBF	Виробник : IR	TO-252 10+	на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
IRFR15N20DPBF	Виробник : International Rectifier	D-PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFR15N20DPBF	Виробник : International Rectifier/Infineon	N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 17 А, Ptot, Вт = 3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 910 @ 25, Qg, нКл = 41 @ 10 В, Rds = 165 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: кількість в упаковці: 75 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFR15N20DPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.