IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 36.02 грн |
| 4000+ | 32.25 грн |
| 6000+ | 32.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFR15N20DTRPBF за ціною від 31.52 грн до 128.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR15N20DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR15N20DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR15N20DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR15N20DTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR15N20DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR15N20DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 165mOhms |
на замовлення 6255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR15N20DTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR15N20DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V |
на замовлення 10762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR15N20DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRFR15N20DTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 17A Power dissipation: 140W Drain-source voltage: 200V Kind of package: reel Case: DPAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |