Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR15N20DTRPBF
IRFR15N20DTRPBF

IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies

irfr15n20dpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+31.74 грн
4000+28.30 грн
6000+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm.

Інші пропозиції IRFR15N20DTRPBF за ціною від 31.21 грн до 113.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies infineonirfr15n20ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+54.41 грн
263+53.86 грн
281+50.51 грн
350+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies infineonirfr15n20ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+57.99 грн
262+54.12 грн
288+49.22 грн
500+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies infineonirfr15n20ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.61 грн
14+54.41 грн
25+53.86 грн
100+48.71 грн
250+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies infineonirfr15n20ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+73.13 грн
250+70.20 грн
500+67.67 грн
1000+63.13 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies irfr15n20dpbf.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 8065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.91 грн
10+69.62 грн
100+46.40 грн
500+34.21 грн
1000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR15N20D_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 165mOhms
на замовлення 5236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF INFINEON 674650.pdf Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 4786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF INFINEON 674650.pdf Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 4786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF infineonirfr15n20ddatasheetv0101en.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
260+54.41 грн
263+53.86 грн
281+50.51 грн
350+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF infineonirfr15n20ddatasheetv0101en.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
244+57.99 грн
262+54.12 грн
288+49.22 грн
500+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF infineonirfr15n20ddatasheetv0101en.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+61.61 грн
14+54.41 грн
25+53.86 грн
100+48.71 грн
250+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF infineonirfr15n20ddatasheetv0101en.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
194+73.13 грн
250+70.20 грн
500+67.67 грн
1000+63.13 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF irfr15n20dpbf.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 8065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.91 грн
10+69.62 грн
100+46.40 грн
500+34.21 грн
1000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF Infineon_IRFR15N20D_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 165mOhms
на замовлення 5236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF 674650.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 4786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF 674650.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 4786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.