Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR15N20DTRPBF
IRFR15N20DTRPBF

IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies

irfr15n20dpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm.

Інші пропозиції IRFR15N20DTRPBF за ціною від 29.55 грн до 143.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+46.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.26 грн
22+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies irfr15n20dpbf.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.88 грн
10+70.42 грн
50+52.69 грн
100+44.08 грн
500+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies infineon_irfr15n20d_datasheet_en.pdf MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 165mOhms
на замовлення 6156 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+129.92 грн
10+80.00 грн
100+45.95 грн
500+36.45 грн
1000+32.37 грн
2000+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+143.21 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF INFINEON 674650.pdf Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 4471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF INFINEON 674650.pdf Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 4471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+45.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+46.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+67.26 грн
22+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF irfr15n20dpbf.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.88 грн
10+70.42 грн
50+52.69 грн
100+44.08 грн
500+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF infineon_irfr15n20d_datasheet_en.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 165mOhms
на замовлення 6156 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.92 грн
10+80.00 грн
100+45.95 грн
500+36.45 грн
1000+32.37 грн
2000+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+143.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
103+143.21 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF 674650.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 4471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF infineon-irfr15n20d-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF 674650.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 4471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.