IRFR18N15DPBF


irfr18n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d7a002069
Код товару: 187546
Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR18N15DPBF

  • MOSFET, N, TO-252
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:150V
  • Cont Current Id:18A
  • On State Resistance:0.125ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:5.5V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Max Voltage Vds:150V
  • Max Voltage Vgs th:5.5V
  • Power Dissipation:110W
  • Power Dissipation Pd:110W
  • Pulse Current Idm:72A
  • SMD Marking:IRFR18N15D
  • Transistor Case Style:D-PAK

Інші пропозиції IRFR18N15DPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR18N15DPBF IRFR18N15DPBF Виробник : Infineon Technologies irfr18n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d7a002069 Description: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DPBF IRFR18N15DPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR18N15D_DataSheet_v01_01_EN-3166381.pdf MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 125mOhms 28nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.