Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFR1N60ATRPBF (IR) транзистор

IRFR1N60ATRPBF (IR) транзистор

irfr1n60a-datasheet.pdf
Код товару: 47827
Виробник: IR
Uds,V: 600 V
Idd,A: 1,4 A
Rds(on), Ohm: 7 Omh
Ciss, pF/Qg, nC: 229/14
Монтаж: SMD
у наявності 45 шт:
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+20 грн
10+ 17.9 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFR1N60ATRPBF (IR) транзистор за ціною від 21.22 грн до 204.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Виробник : Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr1n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+44.2 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR1N60ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.4 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+67.63 грн
500+ 53.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr1n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
на замовлення 6115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.35 грн
10+ 78.38 грн
100+ 62.41 грн
500+ 49.56 грн
1000+ 42.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Виробник : Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
108+108.24 грн
109+ 107.16 грн
135+ 87.05 грн
250+ 83.1 грн
500+ 64.01 грн
1000+ 51.11 грн
Мінімальне замовлення: 108
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Виробник : Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+110.97 грн
10+ 100.51 грн
25+ 99.51 грн
100+ 77.94 грн
250+ 71.45 грн
500+ 57.06 грн
1000+ 47.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR1N60ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.4 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+116.78 грн
10+ 89.43 грн
100+ 67.63 грн
500+ 53.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr1n6.pdf MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.46 грн
10+ 167.45 грн
100+ 131.77 грн
500+ 131.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFR1N60ATRPBF Виробник : VISHAY sihfr1n6.pdf
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFR1N60ATRPBF Виробник : VISHAY sihfr1n6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRPBF Виробник : Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR1N60ATRPBF Виробник : VISHAY sihfr1n6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній

З цим товаром купують

TL431ACDBZR
Код товару: 181682		 tl431.pdf?ts=1708404301053&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FTL431%253FkeyMatch%253D%2526tisearch%253Dsearch-everything%2526usecase%253Dpartmatches
TL431ACDBZR
Виробник: Китай
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
Корпус: SOT-23-3
Короткий опис: Shunt Adjustable Precision References
Напруга: 36 V
Темп.діапазон: 0…+70°C
Монтаж: SMD
Тип пристрою: Шунт
у наявності: 1571 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+6 грн
10+ 5 грн
100+ 4.3 грн
TL431AIDBZR
Код товару: 148257		 description tl431.pdf?ts=1708404301053&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FTL431%253FkeyMatch%253D%2526tisearch%253Dsearch-everything%2526usecase%253Dpartmatches
TL431AIDBZR
Виробник: TI
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
Корпус: SOT-23
Короткий опис: Програмоване джерело опорної напруги від 2,5V до 36V, точність - 1%
Напруга: 36 V
Темп.діапазон: -40…+125°C
Монтаж: SMD
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
у наявності: 6038 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+4.5 грн
10+ 4 грн
100+ 3.6 грн
1000+ 3.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
TL431AIDBZR,215 (Nexperia, SOT23-3)
Код товару: 27121		 TL431_FAM.pdf
TL431AIDBZR,215 (Nexperia, SOT23-3)
Виробник: Nexperia
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
Корпус: SOT-23
Короткий опис: Програмоване джерело опорної напруги від 2,5V до 36V, точність - 1%
Напруга: 36 V
Темп.діапазон: -40…+85°C
Монтаж: SMD
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
у наявності: 925 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+7 грн
10+ 6.3 грн
100+ 5.6 грн
33nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B333K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 2069		 X7R_X5R.pdf
33nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B333K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 33 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 6512 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+0.7 грн
100+ 0.6 грн
1000+ 0.5 грн
Мінімальне замовлення: 10