IRFR220NPBF
Код товару: 113425
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-252/D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 600 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 300/15
Монтаж: SMD
у наявності: 205 шт
- 180 шт - склад
- 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 14 шт
- 14 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 13.00 грн |
| 10+ | 11.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR220NPBF IR
- MOSFET, N, 200V, 5A, D-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:200V
- Cont Current Id:5A
- On State Resistance:0.6ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:DPAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:D-PAK
- Junction to Case Thermal Resistance A:3.5`C/W
- Max Voltage Vds:200V
- Power Dissipation:43W
- Power Dissipation Pd:43W
- Pulse Current Idm:20A
- SMD Marking:IRFR220N
- Transistor Case Style:D-PAK
Інші пропозиції IRFR220NPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR220NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFR220NPBF | International Rectifier |
D-Pak,N-chanal power MOSFET 200V,5A,RDS=0.6 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
IRFR220NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFR220NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFR220NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFR220NPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
D-Pak,N-chanal power MOSFET 200V,5A,RDS=0.6 Транзистори
D-Pak,N-chanal power MOSFET 200V,5A,RDS=0.6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFR220NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFR220NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
З цим товаром купують
| Запобіжник 5х20мм 1A 250V (GT1-4602A-1A/250V) Код товару: 22143
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Global Tone
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Плавкі запобіжники з виводами і без виводів
Короткий опис: Запобіжник плавкий, у склі, 1A 250V 5х20мм F
Номінальний струм: 1 А
Розмір: 5x20 mm
Фізичне виконання: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Плавкі запобіжники з виводами і без виводів
Короткий опис: Запобіжник плавкий, у склі, 1A 250V 5х20мм F
Номінальний струм: 1 А
Розмір: 5x20 mm
Фізичне виконання: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
у наявності: 9375 шт
- 6593 шт - склад
- 366 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 216 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 260 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 1940 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
- 10000 шт - очікується 14.01.2027
на замовлення: 245 шт
- 245 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 13+ | 1.60 грн |
| 100+ | 1.20 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |
| HV9910BLG-G Код товару: 23959
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Supertex
Мікросхеми > Драйвери світлодіодів
Корпус: SO-8
Напруга живлення Vcc, В: 8...470 В
Вихідний струм Iвих, мА: 165 мА
Частота генерації Fosc, кГц: 120 кГц
К-сть каналів: 1
Примітка: P = 830 mW
Робоча температура, °С: -40…+125°С
Мікросхеми > Драйвери світлодіодів
Корпус: SO-8
Напруга живлення Vcc, В: 8...470 В
Вихідний струм Iвих, мА: 165 мА
Частота генерації Fosc, кГц: 120 кГц
К-сть каналів: 1
Примітка: P = 830 mW
Робоча температура, °С: -40…+125°С
у наявності: 246 шт
- 196 шт - склад
- 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 15 шт
- 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 45.00 грн |
| 10+ | 40.50 грн |
| 1uF 50V X7R 10% 0805 (CL21B105KBFNNNG – Samsung) Код товару: 60674
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 1 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 1 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 901 шт
- 200 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 701 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 1404 шт
- 1404 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 1.00 грн |
| Мікроперемикач MSW-12 Код товару: 103147
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Zhongxun Electronics
Пасивні компоненти > Перемикачі, тумблери
Група: Мікроперемикачі
Монтаж: Клеми з отвором
Габарити: 19,8x10,2x6,4 мм
Опис: SPDT. Важіль 17mm
Кількість положень: 2
Навантажувальна здатність: 5 А / 250 VAC
Пасивні компоненти > Перемикачі, тумблери
Група: Мікроперемикачі
Монтаж: Клеми з отвором
Габарити: 19,8x10,2x6,4 мм
Опис: SPDT. Важіль 17mm
Кількість положень: 2
Навантажувальна здатність: 5 А / 250 VAC
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 16.20 грн |
| 1N4148W Код товару: 176823
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: JINGDAO
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-123
Uзвор., В: 75 В
Iвипр., А: 0,15 А
Опис: Імпульсний
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 В
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-123
Uзвор., В: 75 В
Iвипр., А: 0,15 А
Опис: Імпульсний
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 В
на замовлення: 20 шт
- 20 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.70 грн |











