Продукція > UMW > IRFR220NTR

IRFR220NTR UMW

IRFR220N%2C%20IRFU220N.pdf Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 600mOhm; 5A; 43W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR220PBF; IRFR220PBF-BE3; IRFR220TRLPBF; IRFR220TRPBF; IRFR220TRPBF-BE3; IRFR220TRRPBF; IRFR220NPBF; IRFR220NTRLPBF; IRFR220NTRPBF; IRFR220NTRRPBF; SP001560574; SP0015
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR220NTR UMW

Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR220NTR за ціною від 18.85 грн до 18.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR220NTR Виробник : Infineon IRFR220N%2C%20IRFU220N.pdf Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 600mOhm; 5A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR220NPBF; IRFR220NTRPBF; IRFR220NPBF-GURT; IRFR220NTRLPBF; IRFR220N; IRFR220NTRPBF TIRFR220n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTR IRFR220NTR Виробник : Infineon Technologies IRFR220N%2C%20IRFU220N.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.