Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR220NTRLPBF
IRFR220NTRLPBF

IRFR220NTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+17.45 грн
36+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR220NTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR220NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFR220NTRLPBF за ціною від 18.88 грн до 81.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
693+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 693
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
693+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 693
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
693+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 693
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR220NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR220NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+77.25 грн
50+57.19 грн
100+44.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
156+78.49 грн
231+53.03 грн
500+39.45 грн
1000+36.86 грн
2000+28.25 грн
3000+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR220N_DataSheet_v01_01_EN-3363236.pdf MOSFETs MOSFT 200V 5A 600mOhm 15nC
на замовлення 7363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.45 грн
10+54.48 грн
100+35.24 грн
500+28.25 грн
1000+25.90 грн
3000+24.57 грн
6000+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr220npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr220npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.