IRFR2307ZTRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 47.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR2307ZTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR2307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0128 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0128ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRFR2307ZTRLPBF за ціною від 35.94 грн до 105.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR2307ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR2307ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR2307ZTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR2307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0128 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0128ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR2307ZTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR2307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0128 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0128ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR2307ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 75V 53A 16mOhm 50nC Qg |
на замовлення 4821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR2307ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V |
на замовлення 8327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR2307ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFR2307ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRFR2307ZTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 53A; 110W; DPAK Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 75V Drain current: 53A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFR2307ZTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 53A; 110W; DPAK Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 75V Drain current: 53A Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |