Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR2307ZTRLPBF
IRFR2307ZTRLPBF

IRFR2307ZTRLPBF Infineon Technologies

irfr2307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d98be2074
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+47.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR2307ZTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR2307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFR2307ZTRLPBF за ціною від 39.19 грн до 185.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFR2307ZTRLPBF IRFR2307ZTRLPBF Infineon Technologies irfr2307zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF IRFR2307ZTRLPBF Infineon Technologies irfr2307zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF IRFR2307ZTRLPBF Infineon Technologies irfr2307zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF IRFR2307ZTRLPBF Infineon Technologies irfr2307zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+99.60 грн
500+89.63 грн
1000+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF IRFR2307ZTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR2307Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 53A 16mOhm 50nC Qg
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.53 грн
10+101.32 грн
100+59.84 грн
500+47.79 грн
1000+45.32 грн
3000+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF IRFR2307ZTRLPBF Infineon Technologies irfr2307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d98be2074 Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
на замовлення 7703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.52 грн
10+103.08 грн
100+70.08 грн
500+52.52 грн
1000+48.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF IRFR2307ZTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837873-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR2307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.84 грн
10+119.23 грн
100+81.65 грн
500+60.02 грн
1000+51.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF irfr2307zpbf.pdf
IRFR2307ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF irfr2307zpbf.pdf
IRFR2307ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF irfr2307zpbf.pdf
IRFR2307ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF irfr2307zpbf.pdf
IRFR2307ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
356+99.60 грн
500+89.63 грн
1000+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF Infineon-IRFR2307Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR2307ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 53A 16mOhm 50nC Qg
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+159.53 грн
10+101.32 грн
100+59.84 грн
500+47.79 грн
1000+45.32 грн
3000+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF irfr2307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d98be2074
IRFR2307ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
на замовлення 7703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+166.52 грн
10+103.08 грн
100+70.08 грн
500+52.52 грн
1000+48.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF INFN-S-A0012837873-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR2307ZTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR2307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+185.84 грн
10+119.23 грн
100+81.65 грн
500+60.02 грн
1000+51.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.