Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFR2405PBF
IRFR2405PBF

IRFR2405PBF

irfr2405-datasheet.pdf
Код товару: 39791
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 56 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,016 A
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2430/70
Монтаж: SMD
у наявності: 85 шт
  • 73 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+32.00 грн
10+28.50 грн
100+25.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR2405PBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 56A, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:56A
  • On State Resistance:0.016ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.4`C/W
  • Max Voltage Vds:55V
  • Power Dissipation:110W
  • Power Dissipation Pd:110W
  • Pulse Current Idm:220A
  • SMD Marking:IRFR2405
  • Transistor Case Style:D-PAK

Інші пропозиції IRFR2405PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR2405PBF International Rectifier irfr2405pbf.pdf description D-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405PBF International Rectifier/Infineon irfr2405pbf.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 56 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2430 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 16 мОм @ 34 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405PBF IRFR2405PBF Infineon Technologies irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079 description Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405PBF IRFR2405PBF Infineon Technologies Infineon-IRFR2405-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405PBF IRFR2405PBF Infineon (IRF) irfr2405.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 16mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405PBF description irfr2405pbf.pdf
Виробник: International Rectifier
D-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405PBF description irfr2405pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 56 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2430 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 16 мОм @ 34 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405PBF description irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079
IRFR2405PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405PBF description Infineon-IRFR2405-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR2405PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405PBF description irfr2405.pdf
IRFR2405PBF
Виробник: Infineon (IRF)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 16mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

2SB882
Код товару: 15197
Додати до обраних Обраний товар
2SB882.pdf
2SB882
Виробник: Sanyo
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
Гранична частота fT, MHz: 20 MHz
Напруга Uке, V: 60 V
Напруга Uкб, V: 70 V
Струм Iк, A: 10 A
Коефіцієнт підсилення h21, max: 5000
Примітка: Дарлінгтон
у наявності: 32 шт
  • 3 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC849B (SOT-23, Diotec) біполярний транзистор NPN
Код товару: 3064
1 Додати до обраних Обраний товар
bc846-datasheet.pdf
BC849B (SOT-23, Diotec) біполярний транзистор NPN
Виробник: Diotec
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 30 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 450
Монтаж: SMD
у наявності: 1716 шт
  • 1295 шт - склад
  • 195 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 215 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
16+1.30 грн
100+1.00 грн
1000+0.80 грн
10000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
22uF 50V EHR 5x11mm (EHR220M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3036
3 Додати до обраних Обраний товар
EHR_081225.pdf
22uF 50V EHR 5x11mm (EHR220M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін. напруга: 50 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°C
Габарити: 5x11 mm
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 10301 шт
  • 10126 шт - склад
  • 106 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
14+1.50 грн
100+1.10 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
47uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR470M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2430
4 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
47uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR470M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін. напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°C
Габарити: 6x11 mm
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
товару немає в наявності
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується 10.08.2026
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.50 грн
11+1.90 грн
100+1.60 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BDW94C (TO-220, ST)
Код товару: 1600
1 Додати до обраних Обраний товар
BDW93C,94B,94C.pdf
BDW94C (TO-220, ST)
Виробник: ST
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
Напруга Uке, V: 100 V
Напруга Uкб, V: 100 V
Струм Iк, A: 12 A
Коефіцієнт підсилення h21, max: 20000
Примітка: Дарлінгтон
у наявності: 211 шт
  • 200 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+33.00 грн
10+29.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.