IRFR2405TRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 24.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR2405TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFR2405TRLPBF за ціною від 34.98 грн до 79.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR2405TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR2405TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR2405TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR2405TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR2405TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 56A 16mOhm 70nC |
на замовлення 3851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR2405TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR2405TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V |
на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR2405TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR2405TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IRFR2405TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRFR2405TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |