Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR2405TRLPBF
IRFR2405TRLPBF

IRFR2405TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR2405TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR2405TRLPBF за ціною від 34.88 грн до 79.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5203gpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5203gpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.42 грн
6000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5203gpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.26 грн
6000+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : INFINEON 682150.pdf Description: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR2405_DataSheet_v01_01_EN-3363237.pdf MOSFETs MOSFT 55V 56A 16mOhm 70nC
на замовлення 3851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.98 грн
10+48.96 грн
100+39.61 грн
500+39.15 грн
1000+36.25 грн
3000+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5203gpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
433+70.60 грн
500+63.55 грн
1000+58.61 грн
Мінімальне замовлення: 433
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079 Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.15 грн
10+52.36 грн
100+48.25 грн
500+43.55 грн
1000+40.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : INFINEON 682150.pdf Description: INFINEON - IRFR2405TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.55 грн
15+58.19 грн
100+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5203gpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5203gpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C187810C1BF1A303005056AB0C4F&compId=irfr2405pbf.pdf?ci_sign=f5da482096c50158e5b20a4fa0a70656b1e3e8e2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079 Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C187810C1BF1A303005056AB0C4F&compId=irfr2405pbf.pdf?ci_sign=f5da482096c50158e5b20a4fa0a70656b1e3e8e2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.