IRFR2405TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 25.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR2405TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFR2405TRPBF за ціною від 37.28 грн до 153.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR2405TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR2405TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR2405TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR2405TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR2405TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR2405TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR2405TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR2405TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V |
на замовлення 37666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR2405TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR2405TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 55V N-CH HEXFET 16mOhms 70nC |
на замовлення 3377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR2405TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFR2405TRPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IRFR2405TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRFR2405TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 56A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |