Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR2405TRPBF
IRFR2405TRPBF

IRFR2405TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR2405TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR2405TRPBF за ціною від 32.01 грн до 118.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5203gpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5203gpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+34.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079 Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+38.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5203gpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
162+75.21 грн
163+74.47 грн
224+54.14 грн
250+51.68 грн
500+43.51 грн
1000+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5203gpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+80.75 грн
201+60.40 грн
203+59.92 грн
1000+48.28 грн
2000+43.76 грн
4000+36.89 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR2405_DataSheet_v01_01_EN-3363237.pdf MOSFETs 55V N-CH HEXFET 16mOhms 70nC
на замовлення 5607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.57 грн
10+68.35 грн
100+45.44 грн
500+42.04 грн
1000+39.47 грн
2000+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.42 грн
50+74.48 грн
100+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079 Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
на замовлення 54208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.15 грн
10+70.34 грн
100+50.79 грн
500+42.29 грн
1000+42.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5203gpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+118.00 грн
10+80.58 грн
25+79.79 грн
100+55.93 грн
250+51.27 грн
500+44.76 грн
1000+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF Виробник : International Rectifier HiRel Products irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079 Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
419+72.44 грн
500+65.20 грн
1000+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 419
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5203gpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C187810C1BF1A303005056AB0C4F&compId=irfr2405pbf.pdf?ci_sign=f5da482096c50158e5b20a4fa0a70656b1e3e8e2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C187810C1BF1A303005056AB0C4F&compId=irfr2405pbf.pdf?ci_sign=f5da482096c50158e5b20a4fa0a70656b1e3e8e2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.