Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR2407TRPBF
IRFR2407TRPBF

IRFR2407TRPBF Infineon Technologies

irlml5203pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
309+40.32 грн
310+40.18 грн
328+37.96 грн
329+36.54 грн
500+33.78 грн
1000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 309
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR2407TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR2407TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.026 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR2407TRPBF за ціною від 34.68 грн до 144.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR2407TRPBF IRFR2407TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2407-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+40.81 грн
4000+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2407TRPBF IRFR2407TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5203pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
296+42.03 грн
310+40.21 грн
311+40.04 грн
500+36.46 грн
Мінімальне замовлення: 296
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2407TRPBF IRFR2407TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5203pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+43.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2407TRPBF IRFR2407TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5203pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+45.19 грн
17+43.20 грн
25+43.05 грн
100+39.21 грн
250+36.25 грн
500+34.74 грн
1000+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2407TRPBF IRFR2407TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5203pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2407TRPBF IRFR2407TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR2407TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.026 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2407TRPBF IRFR2407TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5203pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+57.89 грн
12000+52.90 грн
18000+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2407TRPBF IRFR2407TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR2407TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.026 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.24 грн
50+70.50 грн
100+55.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2407TRPBF IRFR2407TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFR2407-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 74nC
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.99 грн
10+70.33 грн
100+47.04 грн
500+43.12 грн
1000+40.82 грн
2000+37.21 грн
4000+36.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2407TRPBF IRFR2407TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2407-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.42 грн
10+89.04 грн
100+60.20 грн
500+44.89 грн
1000+42.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2407TRPBF IRFR2407TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml5203pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2407TRPBF IRFR2407TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2407-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2407TRPBF IRFR2407TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr2407pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 42A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.