Інші пропозиції IRFR24N15DTRPBF за ціною від 31.74 грн до 153.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 24A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 24A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V |
на замовлення 7858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 24A 95mOhm 30nC |
на замовлення 1803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR24N15DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRFR24N15DTRPBF | Виробник : International Rectifier |
MOSFET MOSFT 150V 24A 95mOhm 30nC, TO-252-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
IRFR24N15DTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 24A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |





