Технічний опис IRFR2607ZPBF IR
Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Supplier Device Package: PG-TO252-3-901|DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRFR2607ZPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFR2607ZPBF | Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH_MOSFETS |
на замовлення 2796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFR2607ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH_MOSFETS
MOSFET TRENCH_MOSFETS
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


