Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR2905ZTRPBF
IRFR2905ZTRPBF

IRFR2905ZTRPBF Infineon Technologies

irfr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630e7222088
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR2905ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0145 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFR2905ZTRPBF за ціною від 20.82 грн до 114.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Infineon Technologies irfr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630e7222088 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.48 грн
10+60.64 грн
100+40.13 грн
500+29.39 грн
1000+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Infineon Technologies Infineon-IRFR2905Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 14.5mOhms 29nC
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.92 грн
10+62.60 грн
100+36.08 грн
500+28.13 грн
1000+25.60 грн
2000+23.42 грн
4000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF INFINEON irfr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630e7222088 Description: INFINEON - IRFR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0145 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.87 грн
12+72.12 грн
100+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF irfr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630e7222088
IRFR2905ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.48 грн
10+60.64 грн
100+40.13 грн
500+29.39 грн
1000+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF Infineon-IRFR2905Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFR2905ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 14.5mOhms 29nC
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.92 грн
10+62.60 грн
100+36.08 грн
500+28.13 грн
1000+25.60 грн
2000+23.42 грн
4000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF irfr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630e7222088
IRFR2905ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0145 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.87 грн
12+72.12 грн
100+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.