Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR2905ZTRPBF
IRFR2905ZTRPBF

IRFR2905ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR2905ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0111 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR2905ZTRPBF за ціною від 25.75 грн до 136.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+35.63 грн
4000+27.64 грн
10000+26.97 грн
24000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0111 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0111 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+105.38 грн
11+77.14 грн
100+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630e7222088 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.50 грн
10+73.77 грн
100+49.07 грн
500+35.93 грн
1000+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+124.96 грн
149+81.96 грн
200+76.11 грн
500+52.50 грн
1000+45.93 грн
2000+36.38 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR2905Z_DataSheet_v01_01_EN-3363167.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 14.5mOhms 29nC
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.14 грн
10+88.62 грн
100+50.93 грн
500+39.78 грн
1000+36.62 грн
2000+34.71 грн
4000+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4FF090C2C8DD820&compId=IRFx2905ZPBF.pdf?ci_sign=3b07f6054abebbd0a9725d152405263260ab9c43 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630e7222088 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4FF090C2C8DD820&compId=IRFx2905ZPBF.pdf?ci_sign=3b07f6054abebbd0a9725d152405263260ab9c43 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.