IRFR2905ZTRPBF

IRFR2905ZTRPBF Infineon Technologies


infineon-irfr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR2905ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0145 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR2905ZTRPBF за ціною від 27.31 грн до 134.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+38.65 грн
4000+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+41.66 грн
4000+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0145 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.79 грн
500+41.37 грн
1000+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630e7222088 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.37 грн
10+70.52 грн
100+47.13 грн
500+34.83 грн
1000+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFR2905Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 14.5mOhms 29nC
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.20 грн
10+78.55 грн
100+45.69 грн
500+36.01 грн
1000+32.83 грн
2000+29.50 грн
4000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
93+132.41 грн
143+85.82 грн
200+79.69 грн
500+54.14 грн
1000+49.11 грн
2000+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0145 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.07 грн
10+87.40 грн
100+57.79 грн
500+41.37 грн
1000+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4FF090C2C8DD820&compId=IRFx2905ZPBF.pdf?ci_sign=3b07f6054abebbd0a9725d152405263260ab9c43 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630e7222088 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4FF090C2C8DD820&compId=IRFx2905ZPBF.pdf?ci_sign=3b07f6054abebbd0a9725d152405263260ab9c43 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.