Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFR3410PBF
IRFR3410PBF

IRFR3410PBF

irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090
Код товару: 115743
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3410PBF

  • MOSFET, N, 100V, 31A, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Cont Current Id:31A
  • On State Resistance:0.039ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.4`C/W
  • Max Voltage Vds:100V
  • Power Dissipation:110W
  • Power Dissipation Pd:110W
  • Pulse Current Idm:125A
  • SMD Marking:IRFR3410
  • Transistor Case Style:D-PAK

Інші пропозиції IRFR3410PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR3410PBF International Rectifier/Infineon irfr3410pbf.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 250 µA, Ptot, Вт = 3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1690 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 10 В, Rds = 39 мОм @ 18 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, P2 = 100 Вт,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: ш
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410PBF IRFR3410PBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090 description Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410PBF IRFR3410PBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf description MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 39mOhms 37nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410PBF description irfr3410pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 250 µA, Ptot, Вт = 3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1690 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 10 В, Rds = 39 мОм @ 18 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, P2 = 100 Вт,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: ш
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410PBF description irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090
IRFR3410PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410PBF description irfr3410pbf.pdf
IRFR3410PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 39mOhms 37nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.