Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3410TRLPBF
IRFR3410TRLPBF

IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies

irfr3410pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+37.88 грн
9000+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 110W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm.

Інші пропозиції IRFR3410TRLPBF за ціною від 35.28 грн до 131.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.37 грн
9000+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
663+53.26 грн
1000+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 663 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
663+53.26 грн
1000+49.12 грн
10000+43.79 грн
Мінімальне замовлення: 663 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
663+53.26 грн
1000+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 663 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.64 грн
158+89.43 грн
202+70.03 грн
224+60.95 грн
500+42.92 грн
3000+35.34 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.70 грн
10+90.17 грн
50+70.61 грн
100+61.45 грн
500+43.28 грн
3000+35.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies infineon_irfr3410_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC
на замовлення 4552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF irfr3410pbf.pdf
IRFR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+38.37 грн
9000+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF irfr3410pbf.pdf
IRFR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
663+53.26 грн
1000+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 663 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF irfr3410pbf.pdf
IRFR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
663+53.26 грн
1000+49.12 грн
10000+43.79 грн
Мінімальне замовлення: 663 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF irfr3410pbf.pdf
IRFR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
663+53.26 грн
1000+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 663 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF irfr3410pbf.pdf
IRFR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
109+130.64 грн
158+89.43 грн
202+70.03 грн
224+60.95 грн
500+42.92 грн
3000+35.34 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF irfr3410pbf.pdf
IRFR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+131.70 грн
10+90.17 грн
50+70.61 грн
100+61.45 грн
500+43.28 грн
3000+35.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF infineon_irfr3410_datasheet_en.pdf
IRFR3410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC
на замовлення 4552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3410TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3410TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.