IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies


infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 110W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm.

Інші пропозиції IRFR3410TRLPBF за ціною від 37.96 грн до 161.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
663+53.73 грн
1000+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 663 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
663+53.73 грн
1000+49.56 грн
10000+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 663 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
663+53.73 грн
1000+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 663 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+161.97 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC
на замовлення 4172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
663+53.73 грн
1000+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 663 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
663+53.73 грн
1000+49.56 грн
10000+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 663 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
663+53.73 грн
1000+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 663 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+161.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
88+161.97 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF Infineon_IRFR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC
на замовлення 4172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.