IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 32.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFR3410TRLPBF за ціною від 27.19 грн до 129.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFR3410TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3410TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3410TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3410TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3410TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR3410TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR3410TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V |
на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR3410TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC |
на замовлення 6084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3410TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3410TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3410TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRFR3410TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 31A Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |