Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3410TRLPBF
IRFR3410TRLPBF

IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR3410TRLPBF за ціною від 26.32 грн до 113.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.25 грн
6000+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090 Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.15 грн
6000+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
640+48.65 грн
1000+44.86 грн
Мінімальне замовлення: 640
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.59 грн
500+40.52 грн
1000+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC
на замовлення 5568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.42 грн
10+70.06 грн
100+42.20 грн
500+34.99 грн
1000+31.77 грн
3000+26.40 грн
6000+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+107.78 грн
174+71.63 грн
200+69.48 грн
500+48.05 грн
1000+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.76 грн
12+74.54 грн
100+52.59 грн
500+40.52 грн
1000+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090 Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 3783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.71 грн
10+69.70 грн
100+46.52 грн
500+34.32 грн
1000+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.