IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 37.83 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR3410TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 110W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm.
Інші пропозиції IRFR3410TRLPBF за ціною від 37.96 грн до 161.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR3410TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRFR3410TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRFR3410TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRFR3410TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRFR3410TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRFR3410TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRFR3410TRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC |
на замовлення 4172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IRFR3410TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm |
на замовлення 2728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IRFR3410TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm |
на замовлення 2728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFR3410TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 37.96 грн |
| IRFR3410TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 663+ | 53.73 грн |
| 1000+ | 49.56 грн |
| IRFR3410TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 663+ | 53.73 грн |
| 1000+ | 49.56 грн |
| 10000+ | 44.19 грн |
| IRFR3410TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 663+ | 53.73 грн |
| 1000+ | 49.56 грн |
| IRFR3410TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 161.97 грн |
| IRFR3410TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 88+ | 161.97 грн |
| IRFR3410TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC
MOSFETs MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC
на замовлення 4172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFR3410TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR3410TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





