Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3410TRPBF
IRFR3410TRPBF

IRFR3410TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3410TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR3410TRPBF за ціною від 23.72 грн до 107.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090 Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+28.57 грн
4000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+32.27 грн
390+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.26 грн
500+31.17 грн
1000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+35.87 грн
21+34.57 грн
25+34.24 грн
100+29.53 грн
250+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
314+39.71 грн
336+37.06 грн
347+35.90 грн
500+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 314
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 100V SINGLE N-CH 39mOhms 37nC
на замовлення 7819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.54 грн
10+38.21 грн
100+26.86 грн
1000+26.78 грн
2000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
702+44.32 грн
1000+40.87 грн
10000+36.44 грн
Мінімальне замовлення: 702
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
702+44.32 грн
1000+40.87 грн
10000+36.44 грн
Мінімальне замовлення: 702
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.45 грн
50+42.52 грн
100+34.26 грн
500+31.17 грн
1000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090 Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 5253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.07 грн
10+65.06 грн
100+43.25 грн
500+31.82 грн
1000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF транзистор
Код товару: 201152
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C23A6E84E5F1A303005056AB0C4F&compId=irfr3410pbf.pdf?ci_sign=7a526365fa52f5c6eeb84f6b44df41739c012440 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.