Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3410TRPBF
IRFR3410TRPBF

IRFR3410TRPBF Infineon Technologies

irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3410TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFR3410TRPBF за ціною від 24.09 грн до 110.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+28.84 грн
4000+26.72 грн
10000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+30.62 грн
4000+28.38 грн
10000+27.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
351+36.94 грн
355+36.57 грн
391+33.22 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+39.58 грн
25+39.18 грн
100+34.32 грн
250+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+39.63 грн
56000+36.21 грн
84000+33.69 грн
112000+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
702+46.21 грн
1000+42.61 грн
10000+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 702
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
702+46.21 грн
1000+42.61 грн
10000+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 702
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.41 грн
500+37.26 грн
1000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
245+52.99 грн
5000+51.34 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.61 грн
50+57.36 грн
100+46.41 грн
500+37.26 грн
1000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 100V SINGLE N-CH 39mOhms 37nC
на замовлення 7567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.78 грн
10+57.99 грн
100+34.67 грн
500+30.54 грн
1000+27.81 грн
2000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090 Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 3681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.31 грн
10+67.30 грн
100+44.78 грн
500+32.94 грн
1000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF транзистор
Код товару: 201152
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr3410pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.