Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFR3410TRPBF транзистор

IRFR3410TRPBF транзистор

Код товару: 201152
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFR3410TRPBF транзистор за ціною від 27.54 грн до 119.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+49.63 грн
1000+45.78 грн
10000+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+49.63 грн
1000+45.78 грн
10000+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.53 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090 description Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.01 грн
10+67.27 грн
50+50.26 грн
100+42.01 грн
500+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.09 грн
11+69.77 грн
100+62.27 грн
500+48.82 грн
1000+43.55 грн
2000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.09 грн
203+69.77 грн
228+62.27 грн
500+48.82 грн
1000+43.55 грн
2000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs 100V SINGLE N-CH 39mOhms 37nC
на замовлення 9826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF description irfr3410pbf.pdf
IRFR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+30.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF description irfr3410pbf.pdf
IRFR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF description irfr3410pbf.pdf
IRFR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
713+49.63 грн
1000+45.78 грн
10000+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF description irfr3410pbf.pdf
IRFR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
713+49.63 грн
1000+45.78 грн
10000+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF description irfr3410pbf.pdf
IRFR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+58.53 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF description irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090
IRFR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.01 грн
10+67.27 грн
50+50.26 грн
100+42.01 грн
500+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF description irfr3410pbf.pdf
IRFR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+119.09 грн
11+69.77 грн
100+62.27 грн
500+48.82 грн
1000+43.55 грн
2000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF description irfr3410pbf.pdf
IRFR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
119+119.09 грн
203+69.77 грн
228+62.27 грн
500+48.82 грн
1000+43.55 грн
2000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF description Infineon_IRFR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V SINGLE N-CH 39mOhms 37nC
на замовлення 9826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF description INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3410TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF description INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3410TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.