IRFR3411PBF

IRFR3411PBF Infineon Technologies


irfr3411pbf-1227730.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 48nC
на замовлення 3073 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3411PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D-Pak, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR3411PBF за ціною від 136.77 грн до 161.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR3411PBF Виробник : Infineon irfr3411pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631077c2093 Транз. Пол. БМ N-MOSFET DPAK Udss=100V; Id=32 A; Pdmax=130 W; Rds=0,044 Ohm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+161.18 грн
10+ 136.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFR3411PBF Виробник : International Rectifier Corporation irfr3411pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631077c2093 MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRFR3411PBF
Код товару: 131087
irfr3411pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631077c2093 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFR3411PBF IRFR3411PBF Виробник : Infineon Technologies irfr3411pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631077c2093 Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
товар відсутній