Технічний опис IRFR3411PBF
- MOSFET, N, 100V, 32A, D-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:100V
- Cont Current Id:32A
- On State Resistance:0.044ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:DPAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:D-PAK
- Junction to Case Thermal Resistance A:1.2`C/W
- Max Voltage Vds:100V
- On State resistance @ Vgs = 10V:44mohm
- Power Dissipation:130W
- Power Dissipation Pd:130W
- Pulse Current Idm:110A
- Transistor Case Style:D-PAK
Інші пропозиції IRFR3411PBF за ціною від 90.78 грн до 90.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR3411PBF | Виробник : International Rectifier |
 MOSFET N-CH 100V 32A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||
 |
IRFR3411PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRFR3411PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 48nC |
товару немає в наявності |