Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3411TRPBF
IRFR3411TRPBF

IRFR3411TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3411TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR3411TRPBF за ціною від 27.87 грн до 131.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3411datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3411datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+35.64 грн
4000+34.22 грн
6000+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3411pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631077c2093 Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3411datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 106000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+40.51 грн
4000+38.01 грн
6000+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3411datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 106000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+42.95 грн
4000+40.30 грн
6000+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3411datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
247+50.50 грн
254+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 247
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3411datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+51.98 грн
274+45.43 грн
282+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.62 грн
500+47.00 грн
1000+39.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3411datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+63.36 грн
14+54.11 грн
25+52.53 грн
100+45.13 грн
250+33.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3411datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
473+65.79 грн
526+59.20 грн
1000+54.60 грн
10000+46.95 грн
Мінімальне замовлення: 473
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFR3411-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 32A 44mOhm 48nC
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.84 грн
10+70.06 грн
100+46.88 грн
500+40.51 грн
1000+37.29 грн
2000+33.76 грн
4000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.32 грн
12+76.18 грн
100+58.62 грн
500+47.00 грн
1000+39.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3411pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631077c2093 Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 3253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.97 грн
10+80.73 грн
100+54.28 грн
500+40.30 грн
1000+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCFB187B1515EA&compId=IRFR3411TRPBF.pdf?ci_sign=11f0934eda20c38577d0642d48d0a25e8d51146b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.