IRFR3411TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 33.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR3411TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFR3411TRPBF за ціною від 29.14 грн до 121.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 106000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 106000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR3411TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 11900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 32A 44mOhm 48nC |
на замовлення 996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3411TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
на замовлення 2624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|