Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3411TRPBF
IRFR3411TRPBF

IRFR3411TRPBF Infineon Technologies

irfr3411pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631077c2093
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+28.62 грн
4000+25.47 грн
6000+24.41 грн
10000+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3411TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 130W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm.

Інші пропозиції IRFR3411TRPBF за ціною від 27.36 грн до 127.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3411datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.18 грн
4000+37.20 грн
6000+35.65 грн
10000+32.72 грн
14000+29.39 грн
20000+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3411datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+55.50 грн
4000+51.56 грн
6000+49.54 грн
10000+45.59 грн
14000+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3411datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+74.99 грн
526+67.48 грн
1000+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3411datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+82.44 грн
246+57.70 грн
250+55.09 грн
500+41.20 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies irfr3411pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631077c2093 Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 10179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.85 грн
10+63.49 грн
100+42.16 грн
500+30.96 грн
1000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3411datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.56 грн
10+82.83 грн
25+82.44 грн
100+55.64 грн
250+51.00 грн
500+39.55 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3411datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.92 грн
10+86.56 грн
100+60.05 грн
500+46.21 грн
1000+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3411datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+127.92 грн
164+86.56 грн
237+60.05 грн
500+46.21 грн
1000+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3411_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 32A 44mOhm 48nC
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF infineonirfr3411datasheeten.pdf
IRFR3411TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+40.18 грн
4000+37.20 грн
6000+35.65 грн
10000+32.72 грн
14000+29.39 грн
20000+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF infineonirfr3411datasheeten.pdf
IRFR3411TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+55.50 грн
4000+51.56 грн
6000+49.54 грн
10000+45.59 грн
14000+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF infineonirfr3411datasheeten.pdf
IRFR3411TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
473+74.99 грн
526+67.48 грн
1000+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF infineonirfr3411datasheeten.pdf
IRFR3411TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
172+82.44 грн
246+57.70 грн
250+55.09 грн
500+41.20 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF irfr3411pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631077c2093
IRFR3411TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 10179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.85 грн
10+63.49 грн
100+42.16 грн
500+30.96 грн
1000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF infineonirfr3411datasheeten.pdf
IRFR3411TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+121.56 грн
10+82.83 грн
25+82.44 грн
100+55.64 грн
250+51.00 грн
500+39.55 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF infineonirfr3411datasheeten.pdf
IRFR3411TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+127.92 грн
10+86.56 грн
100+60.05 грн
500+46.21 грн
1000+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF infineonirfr3411datasheeten.pdf
IRFR3411TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
111+127.92 грн
164+86.56 грн
237+60.05 грн
500+46.21 грн
1000+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF Infineon_IRFR3411_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR3411TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 32A 44mOhm 48nC
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF INFN-S-A0012838637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3411TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF INFN-S-A0012838637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3411TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.