Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3411TRPBF
IRFR3411TRPBF

IRFR3411TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3411TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR3411TRPBF за ціною від 23.71 грн до 120.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+36.70 грн
4000+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+38.26 грн
4000+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+39.32 грн
4000+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
295+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+41.40 грн
4000+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3411pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631077c2093 Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+44.31 грн
4000+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
243+50.23 грн
248+49.24 грн
282+43.37 грн
285+41.40 грн
500+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 243
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+61.82 грн
13+53.82 грн
25+52.75 грн
100+44.81 грн
250+41.07 грн
500+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.12 грн
500+49.75 грн
1000+42.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR3411_DataSheet_v01_01_EN-3363344.pdf MOSFETs MOSFT 100V 32A 44mOhm 48nC
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.96 грн
10+73.05 грн
100+48.59 грн
500+40.82 грн
1000+37.17 грн
2000+35.42 грн
4000+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3411pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631077c2093 Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 4623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.52 грн
10+76.88 грн
100+55.81 грн
500+42.52 грн
1000+39.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+120.47 грн
11+83.99 грн
100+62.12 грн
500+49.75 грн
1000+42.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr3411pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631077c2093 IRFR3411TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.