IRFR3411TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 22.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR3411TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFR3411TRPBF за ціною від 27.63 грн до 132.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 11900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR3411TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 130W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
на замовлення 4623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR3411TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 32A 44mOhm 48nC |
на замовлення 1954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3411TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFR3411TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFR3411TRPBF SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |