Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3411TRPBF
IRFR3411TRPBF

IRFR3411TRPBF Infineon Technologies

irfr3411pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631077c2093
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+27.76 грн
6000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3411TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 130W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm.

Інші пропозиції IRFR3411TRPBF за ціною від 27.48 грн до 156.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3411datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.36 грн
4000+37.36 грн
6000+35.81 грн
10000+32.87 грн
14000+29.52 грн
20000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+48.11 грн
1000+44.38 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+54.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+83.20 грн
222+64.35 грн
246+57.96 грн
255+53.91 грн
500+41.38 грн
1000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies irfr3411pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631077c2093 Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 10159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.81 грн
10+61.65 грн
50+45.95 грн
100+38.38 грн
500+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.11 грн
10+83.20 грн
25+64.35 грн
100+55.89 грн
250+49.92 грн
500+39.73 грн
1000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+127.71 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3411datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.49 грн
164+86.95 грн
237+60.31 грн
500+46.41 грн
1000+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3411_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 32A 44mOhm 48nC
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+156.14 грн
10+97.56 грн
100+57.34 грн
500+46.51 грн
1000+41.61 грн
2000+38.91 грн
4000+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 3858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 3858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF infineonirfr3411datasheeten.pdf
IRFR3411TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+40.36 грн
4000+37.36 грн
6000+35.81 грн
10000+32.87 грн
14000+29.52 грн
20000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR3411TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
740+48.11 грн
1000+44.38 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR3411TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR3411TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+54.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR3411TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
172+83.20 грн
222+64.35 грн
246+57.96 грн
255+53.91 грн
500+41.38 грн
1000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF irfr3411pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631077c2093
IRFR3411TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 10159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.81 грн
10+61.65 грн
50+45.95 грн
100+38.38 грн
500+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR3411TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+122.11 грн
10+83.20 грн
25+64.35 грн
100+55.89 грн
250+49.92 грн
500+39.73 грн
1000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR3411TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+127.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF infineon-irfr3411-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR3411TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
112+127.71 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF infineonirfr3411datasheeten.pdf
IRFR3411TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
111+128.49 грн
164+86.95 грн
237+60.31 грн
500+46.41 грн
1000+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF Infineon_IRFR3411_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR3411TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 32A 44mOhm 48nC
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.14 грн
10+97.56 грн
100+57.34 грн
500+46.51 грн
1000+41.61 грн
2000+38.91 грн
4000+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF INFN-S-A0012838637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3411TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 3858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3411TRPBF INFN-S-A0012838637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3411TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 3858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.