IRFR3418TRPBF International Rectifier


irfr3418pbf.pdf
Виробник: International Rectifier
DPAK=TO-252AA Транзистори
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3418TRPBF International Rectifier

Description: MOSFET N-CH 80V 70A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: D-Pak, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 18A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IRFR3418TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR3418TRPBF IRFR3418TRPBF Infineon Technologies irfr3418pbf.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3418TRPBF IRFR3418TRPBF Infineon / IR international rectifier_irfr3418.pdf MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3418TRPBF irfr3418pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3418TRPBF international rectifier_irfr3418.pdf
Виробник: Infineon / IR
MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.