IRFR3504ZTRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 33.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR3504ZTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR3504ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFR3504ZTRPBF за ціною від 33.35 грн до 138.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR3504ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 77A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3504ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 77A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3504ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 77A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3504ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 77A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR3504ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3504ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3504ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 77A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3504ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 77A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3504ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3504ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.009 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR3504ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 77A 9mOhm 30nC Qg |
на замовлення 2368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR3504ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3504ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRFR3504ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 77A Power dissipation: 90W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |