Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3504ZTRPBF
IRFR3504ZTRPBF

IRFR3504ZTRPBF Infineon Technologies

infineonirfr3504zdatasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 77A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
421+84.15 грн
500+75.74 грн
1000+69.85 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3504ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR3504ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR3504ZTRPBF за ціною від 35.95 грн до 138.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFR3504ZTRPBF IRFR3504ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837926-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3504ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.81 грн
250+83.87 грн
1000+71.62 грн
3000+64.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3504ZTRPBF IRFR3504ZTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3504Z_DataSheet_v01_01_EN-3363364.pdf MOSFETs MOSFT 40V 77A 9mOhm 30nC Qg
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.48 грн
10+81.87 грн
100+51.10 грн
500+41.66 грн
1000+37.50 грн
2000+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3504ZTRPBF IRFR3504ZTRPBF Infineon Technologies irfr3504zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356311d09209b Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.59 грн
10+83.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3504ZTRPBF IRFR3504ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837926-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3504ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.97 грн
50+88.81 грн
250+83.87 грн
1000+71.62 грн
3000+64.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3504ZTRPBF INFN-S-A0012837926-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3504ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3504ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+88.81 грн
250+83.87 грн
1000+71.62 грн
3000+64.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3504ZTRPBF Infineon_IRFR3504Z_DataSheet_v01_01_EN-3363364.pdf
IRFR3504ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 77A 9mOhm 30nC Qg
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.48 грн
10+81.87 грн
100+51.10 грн
500+41.66 грн
1000+37.50 грн
2000+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3504ZTRPBF irfr3504zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356311d09209b
IRFR3504ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+135.59 грн
10+83.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3504ZTRPBF INFN-S-A0012837926-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3504ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3504ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 9000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+138.97 грн
50+88.81 грн
250+83.87 грн
1000+71.62 грн
3000+64.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.