IRFR3607TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 46.05 грн |
| 6000+ | 39.78 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR3607TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.
Інші пропозиції IRFR3607TRPBF за ціною від 42.05 грн до 178.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V |
на замовлення 10235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR3607TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg |
на замовлення 9570 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFR3607TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm |
на замовлення 9094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IRFR3607TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm |
на замовлення 9094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFR3607TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 59.86 грн |
| IRFR3607TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 59.86 грн |
| IRFR3607TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 65.61 грн |
| 25+ | 64.74 грн |
| 100+ | 61.61 грн |
| 250+ | 56.27 грн |
| 500+ | 53.29 грн |
| 1000+ | 52.55 грн |
| 3000+ | 51.82 грн |
| IRFR3607TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 218+ | 65.61 грн |
| 220+ | 64.74 грн |
| 223+ | 63.89 грн |
| 250+ | 60.78 грн |
| 500+ | 55.51 грн |
| 1000+ | 52.55 грн |
| 3000+ | 51.82 грн |
| IRFR3607TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 378+ | 94.26 грн |
| 500+ | 84.84 грн |
| IRFR3607TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 378+ | 94.26 грн |
| 500+ | 84.84 грн |
| IRFR3607TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 378+ | 94.26 грн |
| 500+ | 84.84 грн |
| 1000+ | 78.24 грн |
| IRFR3607TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
на замовлення 10235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 156.58 грн |
| 10+ | 96.56 грн |
| 50+ | 73.10 грн |
| 100+ | 61.49 грн |
| 500+ | 49.01 грн |
| IRFR3607TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 167.33 грн |
| IRFR3607TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 86+ | 167.33 грн |
| IRFR3607TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
на замовлення 9570 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 178.32 грн |
| 10+ | 111.02 грн |
| 100+ | 65.38 грн |
| 500+ | 52.95 грн |
| 1000+ | 47.39 грн |
| 2000+ | 42.05 грн |
| IRFR3607TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 9094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR3607TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 9094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)