Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3607TRPBF
IRFR3607TRPBF

IRFR3607TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3607TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.00734 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR3607TRPBF за ціною від 33.13 грн до 100.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+33.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631463620a7 Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
295+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838516-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.00734 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.54 грн
250+57.69 грн
1000+49.75 грн
3000+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
169+72.74 грн
193+63.75 грн
219+56.07 грн
1000+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 169
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
389+78.98 грн
500+71.07 грн
1000+65.55 грн
10000+56.35 грн
Мінімальне замовлення: 389
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
140+87.60 грн
147+83.69 грн
250+80.33 грн
500+74.66 грн
1000+66.87 грн
2500+62.30 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+88.76 грн
10+67.80 грн
25+58.93 грн
100+48.87 грн
250+44.80 грн
500+42.58 грн
1000+34.74 грн
3000+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631463620a7 Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
на замовлення 9905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.20 грн
10+67.44 грн
100+51.64 грн
500+47.04 грн
1000+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838516-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.00734 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.73 грн
50+66.54 грн
250+57.69 грн
1000+49.75 грн
3000+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR3607_DataSheet_v01_01_EN-3363383.pdf MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
на замовлення 6793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.89 грн
10+75.34 грн
25+63.67 грн
100+50.89 грн
250+50.59 грн
500+49.36 грн
1000+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C30289CA55F1A303005056AB0C4F&compId=irfr3607pbf.pdf?ci_sign=c768d620ee5343d069fa0755a84c6ac97a7b6a80 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C30289CA55F1A303005056AB0C4F&compId=irfr3607pbf.pdf?ci_sign=c768d620ee5343d069fa0755a84c6ac97a7b6a80 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.