Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3607TRPBF
IRFR3607TRPBF

IRFR3607TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr3607-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3607TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.

Інші пропозиції IRFR3607TRPBF за ціною від 41.73 грн до 156.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+49.78 грн
4000+48.36 грн
6000+47.88 грн
10000+45.71 грн
14000+41.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.25 грн
4000+48.82 грн
6000+48.33 грн
10000+46.15 грн
14000+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+62.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+73.78 грн
194+73.04 грн
227+62.33 грн
250+58.80 грн
500+51.27 грн
1000+41.77 грн
3000+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.63 грн
11+73.78 грн
25+73.04 грн
100+60.10 грн
250+54.45 грн
500+49.22 грн
1000+41.77 грн
3000+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
389+90.91 грн
500+81.81 грн
1000+75.45 грн
10000+64.86 грн
Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+135.26 грн
140+101.11 грн
187+75.73 грн
500+64.18 грн
1000+54.85 грн
2000+46.96 грн
4000+45.35 грн
6000+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3607-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.65 грн
10+96.45 грн
50+72.93 грн
100+61.32 грн
500+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3607_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
на замовлення 6320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838516-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 10156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838516-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 10156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf
IRFR3607TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+49.78 грн
4000+48.36 грн
6000+47.88 грн
10000+45.71 грн
14000+41.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf
IRFR3607TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+50.25 грн
4000+48.82 грн
6000+48.33 грн
10000+46.15 грн
14000+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR3607TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+62.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf
IRFR3607TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
192+73.78 грн
194+73.04 грн
227+62.33 грн
250+58.80 грн
500+51.27 грн
1000+41.77 грн
3000+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf
IRFR3607TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+85.63 грн
11+73.78 грн
25+73.04 грн
100+60.10 грн
250+54.45 грн
500+49.22 грн
1000+41.77 грн
3000+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF infineon-irfr3607-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR3607TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
389+90.91 грн
500+81.81 грн
1000+75.45 грн
10000+64.86 грн
Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF infineonirfr3607datasheetv0101en.pdf
IRFR3607TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
105+135.26 грн
140+101.11 грн
187+75.73 грн
500+64.18 грн
1000+54.85 грн
2000+46.96 грн
4000+45.35 грн
6000+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF infineon-irfr3607-datasheet-en.pdf
IRFR3607TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.65 грн
10+96.45 грн
50+72.93 грн
100+61.32 грн
500+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF Infineon_IRFR3607_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR3607TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
на замовлення 6320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF INFN-S-A0012838516-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3607TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 10156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3607TRPBF INFN-S-A0012838516-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3607TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 10156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.