Продукція > INFINEON / IR > IRFR3704ZTRLPBF

IRFR3704ZTRLPBF Infineon / IR


Infineon_IRFR3704Z_DataSheet_v01_01_EN-1732836.pdf
Виробник: Infineon / IR
MOSFET MOSFT 20V 60A 8.4mOh m 9.3nC
на замовлення 246 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+86.35 грн
10+76.77 грн
100+51.60 грн
500+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3704ZTRLPBF Infineon / IR

Description: MOSFET N-CH 20V 60A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: D-Pak, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IRFR3704ZTRLPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFR3704ZTRLPBF IRFR3704ZTRLPBF Infineon Technologies irfr3704zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631635020b1 Description: MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3704ZTRLPBF irfr3704zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631635020b1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.