IRFR3704ZTRRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR3704ZTRRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 60A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції IRFR3704ZTRRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR3704ZTRRPBF | Infineon / IR |
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 9.3nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFR3704ZTRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 9.3nC
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 9.3nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



