Інші пропозиції IRFR3707ZTRPBF за ціною від 27.88 грн до 81.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR3707ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 38200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR3707ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 38200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFR3707ZTRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 9.6nC |
на замовлення 1429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFR3707ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3707ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFR3707ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3707ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFR3707ZTRPBF | UMW |
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK Транзистори |
на замовлення 24 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| IRFR3707ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 38200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 81.07 грн |
| 12+ | 68.18 грн |
| 25+ | 61.28 грн |
| 50+ | 53.11 грн |
| 100+ | 42.73 грн |
| 250+ | 36.32 грн |
| 500+ | 29.30 грн |
| 1000+ | 27.88 грн |
| IRFR3707ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 38200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 175+ | 81.07 грн |
| 208+ | 68.18 грн |
| 231+ | 61.28 грн |
| 257+ | 53.11 грн |
| 296+ | 42.73 грн |
| 334+ | 36.32 грн |
| 500+ | 29.30 грн |
| 1000+ | 27.88 грн |
| IRFR3707ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 9.6nC
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 9.6nC
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFR3707ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3707ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFR3707ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR3707ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3707ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFR3707ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR3707ZTRPBF |
![]() |
Виробник: UMW
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK Транзистори
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK Транзистори
на замовлення 24 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.86 грн |





