IRFR3707ZTRPBF Infineon Technologies
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 17.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR3707ZTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR3707ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFR3707ZTRPBF за ціною від 13.64 грн до 99.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR3707ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3707ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR3707ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3707ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR3707ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 9.6nC |
на замовлення 1429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR3707ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3707ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRFR3707ZTRPBF | Виробник : JGSEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13mOhm; 55A; 40W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR3707ZPBF; IRFR3707ZTRLPBF; IRFR3707ZTRPBF; IRFR3707ZTRRPBF; SP001567546; SP001578160; SP001564908; IRFR3707ZTRPBF JGSEMI TIRFR3707z JGS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRFR3707ZTRPBF | Виробник : UMW |
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK |
на замовлення 24 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
IRFR3707ZTRPBF Код товару: 164053
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
IRFR3707ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFR3707ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |