IRFR3708TRPBF International Rectifier


irfr3708pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356318cc320be
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Транзистори
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3708TRPBF International Rectifier

Description: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2417 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 87W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IRFR3708TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR3708TRPBF IRFR3708TRPBF Infineon Technologies irfr3708pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356318cc320be Description: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2417 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3708TRPBF IRFR3708TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3708_DataSheet_v01_01_EN-3363384.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3708TRPBF irfr3708pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356318cc320be
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2417 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3708TRPBF Infineon_IRFR3708_DataSheet_v01_01_EN-3363384.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.