IRFR3709ZTRLPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 759+ | 46.53 грн |
| 1000+ | 42.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR3709ZTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR3709ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.0052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRFR3709ZTRLPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR3709ZTRLPBF | Infineon Technologies |
 MOSFETs MOSFT 30V 86A 6.5mOhm 17nC |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRFR3709ZTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3709ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.0052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFR3709ZTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 86A 6.5mOhm 17nC
MOSFETs MOSFT 30V 86A 6.5mOhm 17nC
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFR3709ZTRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3709ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.0052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFR3709ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.0052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)