IRFR3709ZTRRPBF Infineon Technologies


irfr3709zpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
587+60.26 грн
1000+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 587 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3709ZTRRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRFR3709ZTRRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR3709ZTRRPBF IRFR3709ZTRRPBF Infineon / IR irfr3709zpbf-1732837.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3709ZTRRPBF irfr3709zpbf-1732837.pdf
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.