Продукція > JGSEMI > IRFR3710ZTR

IRFR3710ZTR JGSEMI

IRFR3710Z%2C%20IRFU3710Z.pdf Виробник: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 19mOhm; 35A; 62W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR3710Z; IRFR3710ZTRL; IRFR3710ZTR; IRFR3710ZTRR; SP001555090; SP001567664; SP001560638; SP001567124; IRFR3710ZTR JGSEMI TIRFR3710z JGS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+32.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3710ZTR JGSEMI

Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR3710ZTR за ціною від 44.20 грн до 44.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR3710ZTR Виробник : International Rectifier IRFR3710Z%2C%20IRFU3710Z.pdf Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 56A; 140W; -55°C~175°C; Substitute: IRFR3710ZTR; IRFR3710ZTRL; IRFR3710Z-GURT; IRFR3710Z Infineon TIRFR3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTR IRFR3710ZTR Виробник : Infineon Technologies IRFR3710Z%2C%20IRFU3710Z.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTR IRFR3710ZTR Виробник : Infineon / IR international rectifier_irfr3710z.pdf MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.