IRFR3710ZTR JGSEMI
Виробник: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 19mOhm; 35A; 62W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR3710Z; IRFR3710ZTRL; IRFR3710ZTR; IRFR3710ZTRR; SP001555090; SP001567664; SP001560638; SP001567124; IRFR3710ZTR JGSEMI TIRFR3710z JGS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 37.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR3710ZTR JGSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR3710ZTR за ціною від 46.07 грн до 46.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFR3710ZTR | Виробник : International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 56A; 140W; -55°C~175°C; Substitute: IRFR3710ZTR; IRFR3710ZTRL; IRFR3710Z-GURT; IRFR3710Z Infineon TIRFR3710z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|