Продукція > INFINEON > IRFR3710ZTRLPBF
IRFR3710ZTRLPBF

IRFR3710ZTRLPBF INFINEON

INFN-S-A0002296856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3710ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+80.42 грн
500+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3710ZTRLPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRFR3710ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFR3710ZTRLPBF за ціною від 46.52 грн до 200.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFR3710ZTRLPBF IRFR3710ZTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3710Z_DS_v01_02_EN-1227490.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 69nC
на замовлення 17966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.17 грн
10+109.42 грн
100+68.30 грн
500+54.34 грн
1000+50.04 грн
3000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRLPBF IRFR3710ZTRLPBF INFINEON INFN-S-A0002296856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3710ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.08 грн
50+113.48 грн
100+80.42 грн
500+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRLPBF IRFR3710ZTRLPBF Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.16 грн
108+131.14 грн
151+93.79 грн
500+73.46 грн
1000+62.00 грн
3000+58.93 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRLPBF IRFR3710ZTRLPBF Infineon Technologies irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.61 грн
10+124.31 грн
100+84.74 грн
500+63.66 грн
1000+58.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRLPBF Infineon irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRLPBF Infineon_IRFR3710Z_DS_v01_02_EN-1227490.pdf
IRFR3710ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 69nC
на замовлення 17966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+161.17 грн
10+109.42 грн
100+68.30 грн
500+54.34 грн
1000+50.04 грн
3000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRLPBF INFN-S-A0002296856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3710ZTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3710ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+180.08 грн
50+113.48 грн
100+80.42 грн
500+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRLPBF infineonirfr3710zdsv0102en.pdf
IRFR3710ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
75+189.16 грн
108+131.14 грн
151+93.79 грн
500+73.46 грн
1000+62.00 грн
3000+58.93 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRLPBF irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb
IRFR3710ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+200.61 грн
10+124.31 грн
100+84.74 грн
500+63.66 грн
1000+58.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRLPBF irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb
Виробник: Infineon
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.