Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3710ZTRPBF
IRFR3710ZTRPBF

IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr3710z-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+46.52 грн
4000+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRFR3710ZTRPBF за ціною від 37.80 грн до 211.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+48.09 грн
4000+43.20 грн
6000+41.61 грн
10000+37.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies 651infineon-irfr3710z-ds-v01_02-en.pdffileid5546d462533600a401535631.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+54.94 грн
10000+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+60.61 грн
4000+54.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+60.82 грн
4000+58.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+61.64 грн
4000+55.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+61.66 грн
4000+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002296856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3710ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.47 грн
500+57.37 грн
1000+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
350+99.35 грн
500+89.41 грн
1000+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
350+99.35 грн
500+89.41 грн
1000+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+128.92 грн
10+101.96 грн
25+100.94 грн
100+74.20 грн
250+68.01 грн
500+54.87 грн
1000+52.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+132.45 грн
106+131.13 грн
157+88.79 грн
250+84.76 грн
500+62.34 грн
1000+52.47 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3710ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 56A
Power dissipation: 140W
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+137.30 грн
5+105.99 грн
10+93.58 грн
25+77.83 грн
50+67.83 грн
100+59.58 грн
250+51.41 грн
500+46.75 грн
1000+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.99 грн
10+100.04 грн
100+68.10 грн
500+51.06 грн
1000+46.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002296856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3710ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+163.14 грн
50+117.11 грн
100+79.47 грн
500+57.37 грн
1000+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR3710Z_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg
на замовлення 19229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.37 грн
10+103.49 грн
100+63.69 грн
500+50.54 грн
1000+46.24 грн
2000+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+211.15 грн
103+135.21 грн
113+123.17 грн
200+87.34 грн
500+75.58 грн
1000+62.00 грн
2000+60.09 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.