Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3710ZTRPBF
IRFR3710ZTRPBF

IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr3710z-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+37.82 грн
4000+37.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRFR3710ZTRPBF за ціною від 30.61 грн до 173.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3710z-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3710z-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+40.96 грн
4000+40.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies 651infineon-irfr3710z-ds-v01_02-en.pdffileid5546d462533600a401535631.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+48.37 грн
10000+43.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+49.02 грн
4000+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD055E8472B5EA&compId=IRFR3710ZTRPBF.pdf?ci_sign=7d07f7aee92f768313c1b0b456a26a45cfb77b9d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 2501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.86 грн
10+59.29 грн
28+33.10 грн
76+31.31 грн
2000+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD055E8472B5EA&compId=IRFR3710ZTRPBF.pdf?ci_sign=7d07f7aee92f768313c1b0b456a26a45cfb77b9d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2501 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.43 грн
10+73.88 грн
28+39.72 грн
76+37.58 грн
2000+36.74 грн
4000+36.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3710z-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+106.81 грн
120+101.92 грн
167+73.55 грн
200+67.70 грн
500+52.05 грн
1000+48.50 грн
4000+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 4993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.73 грн
10+102.02 грн
100+69.41 грн
500+52.05 грн
1000+47.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : INFINEON irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb Description: INFINEON - IRFR3710ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.015 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+170.70 грн
50+112.97 грн
100+78.99 грн
500+58.59 грн
1000+49.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR3710Z_DS_v01_02_EN-1227490.pdf MOSFETs MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg
на замовлення 5412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+173.18 грн
10+112.37 грн
100+68.70 грн
250+65.19 грн
500+54.83 грн
1000+50.42 грн
2000+46.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies 651infineon-irfr3710z-ds-v01_02-en.pdffileid5546d462533600a401535631.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3710z-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.