Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3710ZTRPBF
IRFR3710ZTRPBF

IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr3710z-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+42.53 грн
4000+42.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRFR3710ZTRPBF за ціною від 42.12 грн до 193.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+47.68 грн
4000+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies 651infineon-irfr3710z-ds-v01_02-en.pdffileid5546d462533600a401535631.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+50.23 грн
10000+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+55.42 грн
4000+49.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+56.37 грн
4000+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+59.58 грн
4000+57.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+60.38 грн
4000+54.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002296856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3710ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.90 грн
500+64.50 грн
1000+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
350+90.84 грн
500+81.75 грн
1000+75.39 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
350+90.84 грн
500+81.75 грн
1000+75.39 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+121.10 грн
106+119.89 грн
157+81.18 грн
250+77.49 грн
500+56.99 грн
1000+47.97 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3710ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+122.74 грн
5+95.31 грн
10+85.23 грн
25+72.68 грн
50+64.42 грн
100+57.48 грн
250+50.05 грн
500+45.75 грн
1000+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+126.29 грн
10+99.88 грн
25+98.88 грн
100+72.69 грн
250+66.62 грн
500+53.75 грн
1000+51.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3710ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.29 грн
5+118.77 грн
10+102.28 грн
25+87.21 грн
50+77.30 грн
100+68.98 грн
250+60.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 21781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.53 грн
10+102.24 грн
100+69.61 грн
500+52.19 грн
1000+50.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR3710Z_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg
на замовлення 5487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.97 грн
10+114.88 грн
100+68.11 грн
500+54.39 грн
1000+51.93 грн
2000+44.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002296856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3710ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+188.56 грн
50+128.08 грн
100+86.90 грн
500+64.50 грн
1000+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+193.05 грн
103+123.62 грн
113+112.61 грн
200+79.85 грн
500+69.10 грн
1000+56.68 грн
2000+54.94 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies 651infineon-irfr3710z-ds-v01_02-en.pdffileid5546d462533600a401535631.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.