Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3710ZTRPBF
IRFR3710ZTRPBF

IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies

irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+54.94 грн
6000+47.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRFR3710ZTRPBF за ціною від 47.26 грн до 193.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.78 грн
4000+67.10 грн
6000+64.30 грн
10000+57.18 грн
14000+52.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.78 грн
4000+67.10 грн
6000+64.30 грн
10000+57.18 грн
14000+52.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+68.74 грн
4000+68.05 грн
6000+65.23 грн
10000+58.02 грн
14000+53.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+68.81 грн
4000+68.12 грн
6000+65.31 грн
10000+58.08 грн
14000+53.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+101.15 грн
500+91.04 грн
1000+83.96 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+101.15 грн
500+91.04 грн
1000+83.96 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3710ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Technology: HEXFET®
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+157.15 грн
5+122.85 грн
10+108.34 грн
50+77.03 грн
100+66.94 грн
250+56.93 грн
500+51.41 грн
1000+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+177.43 грн
113+125.61 грн
150+94.90 грн
500+72.71 грн
1000+63.50 грн
2000+58.77 грн
4000+58.59 грн
6000+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 49354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.37 грн
10+113.16 грн
50+86.05 грн
100+72.55 грн
500+58.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.44 грн
10+140.36 грн
25+129.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3710Z_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg
на замовлення 8020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0002296856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3710ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 3714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0002296856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3710ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 3714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF infineonirfr3710zdsv0102en.pdf
IRFR3710ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+67.78 грн
4000+67.10 грн
6000+64.30 грн
10000+57.18 грн
14000+52.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF infineonirfr3710zdsv0102en.pdf
IRFR3710ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+67.78 грн
4000+67.10 грн
6000+64.30 грн
10000+57.18 грн
14000+52.42 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF infineonirfr3710zdsv0102en.pdf
IRFR3710ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+68.74 грн
4000+68.05 грн
6000+65.23 грн
10000+58.02 грн
14000+53.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF infineonirfr3710zdsv0102en.pdf
IRFR3710ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+68.81 грн
4000+68.12 грн
6000+65.31 грн
10000+58.08 грн
14000+53.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF infineonirfr3710zdsv0102en.pdf
IRFR3710ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
350+101.15 грн
500+91.04 грн
1000+83.96 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF infineonirfr3710zdsv0102en.pdf
IRFR3710ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
350+101.15 грн
500+91.04 грн
1000+83.96 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF.pdf
IRFR3710ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Technology: HEXFET®
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+157.15 грн
5+122.85 грн
10+108.34 грн
50+77.03 грн
100+66.94 грн
250+56.93 грн
500+51.41 грн
1000+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF infineonirfr3710zdsv0102en.pdf
IRFR3710ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+177.43 грн
113+125.61 грн
150+94.90 грн
500+72.71 грн
1000+63.50 грн
2000+58.77 грн
4000+58.59 грн
6000+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb
IRFR3710ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 49354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.37 грн
10+113.16 грн
50+86.05 грн
100+72.55 грн
500+58.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF infineonirfr3710zdsv0102en.pdf
IRFR3710ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+193.44 грн
10+140.36 грн
25+129.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF Infineon_IRFR3710Z_DS_v01_02_EN.pdf
IRFR3710ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg
на замовлення 8020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF INFN-S-A0002296856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3710ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3710ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 3714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF infineonirfr3710zdsv0102en.pdf
IRFR3710ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF INFN-S-A0002296856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3710ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3710ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 3714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.