Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3710ZTRPBF
IRFR3710ZTRPBF

IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr3710z-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+43.52 грн
4000+43.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRFR3710ZTRPBF за ціною від 39.73 грн до 197.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+43.91 грн
4000+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies 651infineon-irfr3710z-ds-v01_02-en.pdffileid5546d462533600a401535631.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+51.39 грн
10000+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+56.70 грн
4000+50.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+57.68 грн
4000+51.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+60.95 грн
4000+58.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+61.78 грн
4000+55.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : INFINEON irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb Description: INFINEON - IRFR3710ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.02 грн
500+59.40 грн
1000+52.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
350+92.94 грн
500+83.64 грн
1000+77.14 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
350+92.94 грн
500+83.64 грн
1000+77.14 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+123.90 грн
106+122.66 грн
157+83.05 грн
250+79.29 грн
500+58.31 грн
1000+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+129.21 грн
10+102.19 грн
25+101.17 грн
100+74.37 грн
250+68.16 грн
500+54.99 грн
1000+52.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 21041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.42 грн
10+94.15 грн
100+64.09 грн
500+48.06 грн
1000+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR3710Z_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg
на замовлення 5487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.15 грн
10+101.72 грн
100+60.30 грн
500+48.16 грн
1000+45.98 грн
2000+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : INFINEON irfr3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631b29d20cb Description: INFINEON - IRFR3710ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.63 грн
50+117.94 грн
100+80.02 грн
500+59.40 грн
1000+52.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+197.52 грн
103+126.48 грн
113+115.22 грн
200+81.70 грн
500+70.70 грн
1000+57.99 грн
2000+56.21 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfr3710zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.