Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > IRFR3711TRLPBF
IRFR3711TRLPBF

IRFR3711TRLPBF International Rectifier

IRSDS10172-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
609+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 609
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3711TRLPBF International Rectifier

Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V.

Інші пропозиції IRFR3711TRLPBF за ціною від 32.68 грн до 32.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR3711TRLPBF IRFR3711TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3711pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631c10020d0 Description: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
609+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 609
IRFR3711TRLPBF IRSDS10172-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irfr3711pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631c10020d0
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFR3711TRLPBF IRFR3711TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3711pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631c10020d0 Description: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
товар відсутній
IRFR3711TRLPBF IRFR3711TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3711pbf-1227871.pdf MOSFET MOSFT 20V 110A 6.5mOhm 29nC
товар відсутній