Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3711TRPBF
IRFR3711TRPBF

IRFR3711TRPBF Infineon Technologies

irfr3711pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631c10020d0 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
499+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 499
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3711TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V.

Інші пропозиції IRFR3711TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR3711TRPBF IRFR3711TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3711-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr3711pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631c10020d0 IRFR3711TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711TRPBF IRFR3711TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3711pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631c10020d0 Description: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711TRPBF IRFR3711TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3711pbf-1227871.pdf MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 29nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.