Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFR3711ZTRPBF

IRFR3711ZTRPBF

irfr3711zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631d86620d6
Код товару: 173373
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFR3711ZTRPBF за ціною від 31.44 грн до 91.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies irfr3711zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631d86620d6 Description: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.61 грн
6000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3711Z_DataSheet_v01_01_EN-3363156.pdf MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 29nC
на замовлення 5327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.26 грн
10+56.17 грн
100+40.03 грн
500+36.16 грн
1000+33.20 грн
2000+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies irfr3711zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631d86620d6 Description: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.19 грн
10+71.62 грн
100+55.71 грн
500+44.32 грн
1000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF irfr3711zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631d86620d6
IRFR3711ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+37.61 грн
6000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF Infineon_IRFR3711Z_DataSheet_v01_01_EN-3363156.pdf
IRFR3711ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 29nC
на замовлення 5327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+67.26 грн
10+56.17 грн
100+40.03 грн
500+36.16 грн
1000+33.20 грн
2000+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF irfr3711zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631d86620d6
IRFR3711ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+91.19 грн
10+71.62 грн
100+55.71 грн
500+44.32 грн
1000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.