Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFR3711ZTRPBF

IRFR3711ZTRPBF

irfr3711zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631d86620d6
Код товару: 173373
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFR3711ZTRPBF за ціною від 33.48 грн до 88.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies irfr3711zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631d86620d6 Description: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+36.51 грн
6000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.53 грн
4000+40.79 грн
6000+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.58 грн
4000+40.84 грн
6000+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.36 грн
4000+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.36 грн
4000+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+54.56 грн
273+51.63 грн
289+48.70 грн
500+46.85 грн
1000+41.92 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies irfr3711zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631d86620d6 Description: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.52 грн
10+69.53 грн
100+54.08 грн
500+43.02 грн
1000+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3711Z_DataSheet_v01_01_EN-3363156.pdf MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 29nC
на замовлення 5327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF irfr3711zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631d86620d6
IRFR3711ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+36.51 грн
6000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR3711ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+41.53 грн
4000+40.79 грн
6000+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR3711ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+41.58 грн
4000+40.84 грн
6000+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR3711ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+44.36 грн
4000+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR3711ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+44.36 грн
4000+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR3711ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
258+54.56 грн
273+51.63 грн
289+48.70 грн
500+46.85 грн
1000+41.92 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF irfr3711zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631d86620d6
IRFR3711ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.52 грн
10+69.53 грн
100+54.08 грн
500+43.02 грн
1000+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF Infineon_IRFR3711Z_DataSheet_v01_01_EN-3363156.pdf
IRFR3711ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 29nC
на замовлення 5327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF INFN-S-A0012837859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3711ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF INFN-S-A0012837859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3711ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.