IRFR3806TRPBF


irfr3806pbf.pdf
Код товару: 164837
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 43 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 12,6 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1150/22
Монтаж: SMD
у наявності: 373 шт
  • 308 шт - склад
  • 31 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 25 шт
  • 25 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+43.00 грн
10+36.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFR3806TRPBF за ціною від 25.82 грн до 128.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3806-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.32 грн
6000+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3806-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3806-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3806-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3806-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 19413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.40 грн
10+69.06 грн
50+51.62 грн
100+43.14 грн
500+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies infineon_irfr3806_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
на замовлення 16146 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+121.03 грн
10+55.99 грн
100+43.39 грн
500+34.00 грн
2000+28.40 грн
4000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3806-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
на замовлення 3388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
на замовлення 3388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF infineon-irfr3806-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+31.32 грн
6000+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF infineon-irfr3806-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
367+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF infineon-irfr3806-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF infineon-irfr3806-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+48.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF infineon-irfr3806-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 19413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.40 грн
10+69.06 грн
50+51.62 грн
100+43.14 грн
500+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF infineon_irfr3806_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
на замовлення 16146 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.03 грн
10+55.99 грн
100+43.39 грн
500+34.00 грн
2000+28.40 грн
4000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF infineon-irfr3806-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+128.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF INFN-S-A0012838607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
на замовлення 3388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF INFN-S-A0012838607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
на замовлення 3388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

ATtiny13A-SU
Код товару: 22516
5 Додати до обраних Обраний товар
description ATtiny13A-SU.pdf
Виробник: Atmel
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: SOIC-8 EIAJ
Короткий опис: 8-bit мікроконтролер з 1K байт внутрішньосистемно програмована Flash
Живлення, В: 1,8...5,5 В
Тип ядра: AVR
Розрядність: 8-розрядний
Частота: 20 МГц
Робоча температура, °С: -40...+85°С
УКТЗЕД: 8542 31 90 00
у наявності: 488 шт
  • 460 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 30 шт
  • 30 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+65.00 грн
10+58.50 грн
100+54.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
L78L05ABUTR
Код товару: 24972
3 Додати до обраних Обраний товар
78L00 series.pdf
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-89
Напруга входу Uin, В: 30 В
Напруга виходу Uout, В: 5 В
Струм виходу Iout, А: 0,1 А
Падіння напруги Udrop, В: 1,7 В
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: -40...125°С
Монтаж: SMD
у наявності: 2399 шт
  • 2200 шт - склад
  • 67 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 57 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 75 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 30 шт
  • 30 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LTV817S-TA1 [C]
Код товару: 31279
2 Додати до обраних Обраний товар
ltv817s-ta1.pdf
Виробник: Lite-On
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 5 кВ
Струм вх/вих Iвх/Iвих, мА: 50/50 мА
Вихідна напруга Uвих, В: 35 В
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: 4/3 µs
Робоча температура, °С: -30…+110°С
Кількість каналів: 1
у наявності: 10570 шт
  • 9533 шт - склад
  • 33 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 446 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 266 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 292 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55-C12 (SOD-80, Nexperia)
Код товару: 155242
1 Додати до обраних Обраний товар
bzv55-c12.pdf
Виробник: Nexperia
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації Vz, В: 12 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 8,4 мВ/K
у наявності: 1897 шт
  • 1685 шт - склад
  • 88 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 44 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 80 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
16+1.30 грн
100+0.95 грн
1000+0.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N100J500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Код товару: 1953
Додати до обраних Обраний товар
NPO.pdf
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 пФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 1639 шт
  • 200 шт - склад
  • 1439 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.20 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.