Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFR3806TRPBF
IRFR3806TRPBF

IRFR3806TRPBF

irfr3806pbf.pdf
Код товару: 164837
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 43 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 12,6 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1150/22
Монтаж: SMD
у наявності: 401 шт
  • 346 шт - склад
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+43.00 грн
10+36.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFR3806TRPBF за ціною від 24.23 грн до 113.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631e18720d9 Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.66 грн
4000+28.24 грн
6000+27.10 грн
10000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.72 грн
4000+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.72 грн
4000+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+54.60 грн
4000+50.59 грн
6000+48.54 грн
10000+44.60 грн
14000+40.08 грн
20000+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+65.06 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3806pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 71W
Technology: HEXFET®
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.09 грн
7+62.43 грн
10+56.74 грн
50+46.45 грн
100+42.66 грн
250+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631e18720d9 Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.15 грн
10+69.08 грн
100+46.16 грн
500+34.08 грн
1000+31.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3806_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
на замовлення 32796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON irfr3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631e18720d9 Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF irfr3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631e18720d9
IRFR3806TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+31.66 грн
4000+28.24 грн
6000+27.10 грн
10000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF irfr3806pbf.pdf
IRFR3806TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+41.72 грн
4000+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF irfr3806pbf.pdf
IRFR3806TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+41.72 грн
4000+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF irfr3806pbf.pdf
IRFR3806TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF irfr3806pbf.pdf
IRFR3806TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF irfr3806pbf.pdf
IRFR3806TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+54.60 грн
4000+50.59 грн
6000+48.54 грн
10000+44.60 грн
14000+40.08 грн
20000+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF irfr3806pbf.pdf
IRFR3806TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+65.06 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF irfr3806pbf.pdf
IRFR3806TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 71W
Technology: HEXFET®
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+109.09 грн
7+62.43 грн
10+56.74 грн
50+46.45 грн
100+42.66 грн
250+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF irfr3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631e18720d9
IRFR3806TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.15 грн
10+69.08 грн
100+46.16 грн
500+34.08 грн
1000+31.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF Infineon_IRFR3806_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR3806TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
на замовлення 32796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF irfr3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631e18720d9
IRFR3806TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF INFN-S-A0012838607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3806TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

L78L05ABUTR
Код товару: 24972
2 Додати до обраних Обраний товар
78L00 series.pdf
L78L05ABUTR
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-89
Напруга входу Uin, В: 30 В
Напруга виходу Uout, В: 5 В
Струм виходу Iout, А: 0,1 А
Падіння напруги Udrop, В: 1,7 В
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: -40...125°С
Монтаж: SMD
у наявності: 4557 шт
  • 4320 шт - склад
  • 77 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 65 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 95 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LTV817S-TA1 [C]
Код товару: 31279
2 Додати до обраних Обраний товар
ltv817s-ta1.pdf
LTV817S-TA1 [C]
Виробник: Lite-On
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 5 кВ
Струм вх/вих Iвх/Iвих, мА: 50/50 мА
Вихідна напруга Uвих, В: 35 В
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: 4/3 µs
Робоча температура, °С: -30…+110°С
Кількість каналів: 1
у наявності: 5748 шт
  • 4518 шт - склад
  • 83 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 466 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 270 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 411 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55-C12 (SOD-80, Nexperia)
Код товару: 155242
1 Додати до обраних Обраний товар
bzv55-c12.pdf
BZV55-C12 (SOD-80, Nexperia)
Виробник: Nexperia
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації Vz, В: 12 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 8,4 мВ/K
у наявності: 2360 шт
  • 2060 шт - склад
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
16+1.30 грн
100+0.95 грн
1000+0.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Клемник DG126-5.0-02P-14-00Z(H)
Код товару: 18375
10 Додати до обраних Обраний товар
DG126.pdf
Клемник DG126-5.0-02P-14-00Z(H)
Виробник: Degson
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: Прямий клемник, крок: 5,0мм, к-сть контактів: 02P, напруга/струм: 300V/10A, під провід: 26-14AWG 1,5мм.кв
Крок, мм: 5 мм
К-сть контактів: 2
Тип роз’єму: Гвинтовий клемник на плату
Номінальний струм: 10 А
0,5 - 1,5 mm2
УКТЗЕД: 8536 69 90 90
у наявності: 6452 шт
  • 5878 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 274 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 299 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 15000 шт
  • 15000 шт - очікується 08.11.2026
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.00 грн
10+3.60 грн
100+3.20 грн
1000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ATtiny13A-SU
Код товару: 22516
4 Додати до обраних Обраний товар
description ATtiny13A-SU.pdf
ATtiny13A-SU
Виробник: Atmel
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: SOIC-8 EIAJ
Короткий опис: 8-bit мікроконтролер з 1K байт внутрішньосистемно програмована Flash
Живлення, В: 1,8...5,5 В
Тип ядра: AVR
Розрядність: 8-розрядний
Частота: 20 МГц
Робоча температура, °С: -40...+85°С
УКТЗЕД: 8542 31 90 00
у наявності: 721 шт
  • 702 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
1+65.00 грн
10+58.50 грн
100+54.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.