IRFR3806TRPBF
у наявності: 373 шт
- 308 шт - склад
- 31 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 30 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 25 шт
- 25 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 43.00 грн |
| 10+ | 36.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFR3806TRPBF за ціною від 25.82 грн до 128.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 14899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 118000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 118000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V |
на замовлення 19413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg |
на замовлення 16146 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 14899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFR3806TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 71W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm |
на замовлення 3388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFR3806TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 71W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm |
на замовлення 3388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 31.32 грн |
| 6000+ | 26.75 грн |
| IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 367+ | 40.26 грн |
| IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 41.63 грн |
| IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 48.58 грн |
| IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 19413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 113.40 грн |
| 10+ | 69.06 грн |
| 50+ | 51.62 грн |
| 100+ | 43.14 грн |
| 500+ | 33.83 грн |
| IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
на замовлення 16146 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.03 грн |
| 10+ | 55.99 грн |
| 100+ | 43.39 грн |
| 500+ | 34.00 грн |
| 2000+ | 28.40 грн |
| 4000+ | 25.82 грн |
| IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 128.81 грн |
| IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
на замовлення 3388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
на замовлення 3388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| ATtiny13A-SU Код товару: 22516
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Atmel
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: SOIC-8 EIAJ
Короткий опис: 8-bit мікроконтролер з 1K байт внутрішньосистемно програмована Flash
Живлення, В: 1,8...5,5 В
Тип ядра: AVR
Розрядність: 8-розрядний
Частота: 20 МГц
Робоча температура, °С: -40...+85°С
УКТЗЕД: 8542 31 90 00
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: SOIC-8 EIAJ
Короткий опис: 8-bit мікроконтролер з 1K байт внутрішньосистемно програмована Flash
Живлення, В: 1,8...5,5 В
Тип ядра: AVR
Розрядність: 8-розрядний
Частота: 20 МГц
Робоча температура, °С: -40...+85°С
УКТЗЕД: 8542 31 90 00
у наявності: 488 шт
- 460 шт - склад
- 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 30 шт
- 30 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 65.00 грн |
| 10+ | 58.50 грн |
| 100+ | 54.40 грн |
| L78L05ABUTR Код товару: 24972
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-89
Напруга входу Uin, В: 30 В
Напруга виходу Uout, В: 5 В
Струм виходу Iout, А: 0,1 А
Падіння напруги Udrop, В: 1,7 В
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: -40...125°С
Монтаж: SMD
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-89
Напруга входу Uin, В: 30 В
Напруга виходу Uout, В: 5 В
Струм виходу Iout, А: 0,1 А
Падіння напруги Udrop, В: 1,7 В
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: -40...125°С
Монтаж: SMD
у наявності: 2399 шт
- 2200 шт - склад
- 67 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 57 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 75 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 30 шт
- 30 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.80 грн |
| LTV817S-TA1 [C] Код товару: 31279
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Lite-On
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 5 кВ
Струм вх/вих Iвх/Iвих, мА: 50/50 мА
Вихідна напруга Uвих, В: 35 В
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: 4/3 µs
Робоча температура, °С: -30…+110°С
Кількість каналів: 1
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 5 кВ
Струм вх/вих Iвх/Iвих, мА: 50/50 мА
Вихідна напруга Uвих, В: 35 В
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: 4/3 µs
Робоча температура, °С: -30…+110°С
Кількість каналів: 1
у наявності: 10570 шт
- 9533 шт - склад
- 33 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 446 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 266 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 292 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.90 грн |
| 1000+ | 4.40 грн |
| BZV55-C12 (SOD-80, Nexperia) Код товару: 155242
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Nexperia
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації Vz, В: 12 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 8,4 мВ/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації Vz, В: 12 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 8,4 мВ/K
у наявності: 1897 шт
- 1685 шт - склад
- 88 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 44 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 80 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 0.95 грн |
| 1000+ | 0.74 грн |
| 10pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N100J500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD) Код товару: 1953
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 пФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 пФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 1639 шт
- 200 шт - склад
- 1439 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.20 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |











![LTV817S-TA1 [C] LTV817S-TA1 [C]](/img/smd-4.jpg)

