Інші пропозиції IRFR3806TRPBF за ціною від 24.96 грн до 135.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR3806TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR3806TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Drain current: 43A Power dissipation: 71W |
на замовлення 397 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V |
на замовлення 12800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR3806TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg |
на замовлення 32796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR3806TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 32.61 грн |
| 4000+ | 29.09 грн |
| 6000+ | 27.92 грн |
| 10000+ | 24.96 грн |
| IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 42.00 грн |
| 4000+ | 41.59 грн |
| IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 42.00 грн |
| 4000+ | 41.59 грн |
| IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 46.81 грн |
| IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 46.81 грн |
| IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 54.97 грн |
| 4000+ | 50.93 грн |
| 6000+ | 48.87 грн |
| 10000+ | 44.90 грн |
| 14000+ | 40.35 грн |
| 20000+ | 38.17 грн |
| IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 65.49 грн |
| IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 86.34 грн |
| 250+ | 57.40 грн |
| 1000+ | 38.25 грн |
| 3000+ | 30.80 грн |
| IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 104.16 грн |
| 7+ | 66.34 грн |
| 10+ | 59.39 грн |
| 50+ | 46.92 грн |
| 100+ | 42.42 грн |
| 250+ | 37.08 грн |
| IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.56 грн |
| 10+ | 71.16 грн |
| 100+ | 47.55 грн |
| 500+ | 35.11 грн |
| 1000+ | 32.05 грн |
| IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
на замовлення 32796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.52 грн |
| 10+ | 76.68 грн |
| 100+ | 44.40 грн |
| 500+ | 34.96 грн |
| 1000+ | 31.93 грн |
| 2000+ | 28.97 грн |
| 4000+ | 27.14 грн |
| IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 135.68 грн |
| 50+ | 86.34 грн |
| 250+ | 57.40 грн |
| 1000+ | 38.25 грн |
| 3000+ | 30.80 грн |
З цим товаром купують
| L78L05ABUTR Код товару: 24972
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-89
Uin, V: 30 V
Uout,V: 5 V
Iout,A: 0,1 A
Udrop, V: 1,7 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: -40...125°C
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-89
Uin, V: 30 V
Uout,V: 5 V
Iout,A: 0,1 A
Udrop, V: 1,7 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: -40...125°C
у наявності: 4350 шт
- 4350 шт - склад
очікується: 300 шт
- 300 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.80 грн |
| LTV817S-TA1 [C] Код товару: 31279
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Lite-On
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 4/3 µs
Роб.темп.,°С: -30…+110°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 4/3 µs
Роб.темп.,°С: -30…+110°C
у наявності: 6308 шт
- 4978 шт - склад
- 83 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 466 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 370 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 411 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.90 грн |
| 1000+ | 4.40 грн |
| BZV55-C12 (SOD-80, Nexperia) Код товару: 155242
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Nexperia
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
у наявності: 2200 шт
- 2200 шт - склад
очікується: 300 шт
- 300 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 0.95 грн |
| 1000+ | 0.74 грн |
| Клемник DG126-5.0-02P-14-00Z(H) Код товару: 18375
10
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Degson
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: Прямий клемник, крок: 5,0мм, к-сть контактів: 02P, напруга/струм: 300V/10A, під провід: 26-14AWG 1,5мм.кв
Крок, мм: 5 mm
К-сть контактів: 2
Тип роз’єму: Клемник гвинтовий на PCB
Номінальний струм: 10 А
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: Прямий клемник, крок: 5,0мм, к-сть контактів: 02P, напруга/струм: 300V/10A, під провід: 26-14AWG 1,5мм.кв
Крок, мм: 5 mm
К-сть контактів: 2
Тип роз’єму: Клемник гвинтовий на PCB
Номінальний струм: 10 А
у наявності: 6543 шт
- 6268 шт - склад
- 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 274 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 15000 шт
- 15000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.70 грн |
| ATtiny13A-SU Код товару: 22516
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Atmel
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: SOIC-8 EIAJ
Короткий опис: 8-bit Microcontroller with 1K Bytes In-System Programmable Flash
Живлення, В: 1,8...5,5 V
Тип ядра: AVR
Розрядність: 8-Bit
Частота: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: SOIC-8 EIAJ
Короткий опис: 8-bit Microcontroller with 1K Bytes In-System Programmable Flash
Живлення, В: 1,8...5,5 V
Тип ядра: AVR
Розрядність: 8-Bit
Частота: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
у наявності: 721 шт
- 702 шт - склад
- 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 65.00 грн |
| 10+ | 58.50 грн |
| 100+ | 54.40 грн |










![LTV817S-TA1 [C] LTV817S-TA1 [C]](/img/smd-4.jpg)



